集成电路刻蚀用硅部件加工及最新发展

集成电路芯片28 nm以下特别是7 nm线宽不仅对大硅片各项性能要求越来越高,对刻蚀机上用的硅部件也提出了更严格的要求,例如硅环表面的均匀性,硅电极微孔内壁机械损伤和微孔表面形貌等。在加工方法上,7 nm线宽用硅部件将采取更精细化的加工,用多步精磨削代替磨片,不仅可以提高平面度和粗糙度,还可以减少表面特别是亚表面的损伤层;硅电极采用改进后的打孔方式,解决微孔内壁机械损伤的问题,同时采取特殊的损伤检测方法来指导制造工艺的优化。本文对硅部件产品的加工流程进行了论述,指出了硅部件加工的最新发展趋势。

区熔法拉制硅单晶中多晶棒化刺工艺探讨

区熔硅单晶因其高电阻、高少子寿命的优点,成为电力电子器件制造中不可或缺的半导体材料。本文首先对区熔硅单晶生长的机理进行探究,然后得出了解决多晶棒出刺问题的工艺。

大直径直拉硅单晶等径的PID参数优化

随着国内硅材料应用技术不断发展,在大直径单晶的直径生长控制方面除了在设备上采用更加先进的双CCD系统,同时也对单晶生长的直径PID提出了更加严格的要求,因此研究单晶生长的直径PID参数设置有着重要意义。以等径阶段PID参数设置为研究对象,采用晶体生长的实验方法研究了不同PID参数控制对晶体生长的影响,分析了不同参数的作用,最终获得了大直径CZ硅等径生长的优化PID控制参数。实验选用TDR-150型单晶炉,Φ700 mm热场系统,一次性投入200 kg多晶硅,拉制目标直径400 mm的大直径硅单晶。从实验中可以分别得到4条晶体生长等径过程中直径波动曲线以及4张等径过程中实际拉速及晶体生长速率波动图。通过对比分析,实验确认了PID 3个参数(P值比例增益,D值微分,I值积分)的合理取值范围及其作用效果:应使P值在系统具备较高灵敏度和稳定控制的平衡点;使D部分在系统频率特性的中频段,以改善系统的动态性能;而使I值在系统频率特性的较低频段,以提高系统的稳态性能,同时又能够作用于长期控制。