氧化铟锡八面体纳米结构的制备及发光性能研究

本文利用了一种简单的热蒸发法制备出了氧化铟锡(ITO)八面体纳米结构,借助X射线衍射分析仪、能谱分析、场发射扫描电子显微镜以及透射电子显微镜观测样品的结构形貌以及成分分析,结果显示ITO八面体纳米结构每个棱的长度在50～300nm之间,所得到的晶体棱角分明。利用分光光谱仪观测样品的发光性能,发射中心分别处于417nm和437nm,并初步探索了其生长机制。

球形花状ZnO微-纳分级结构的制备及其光电化学性能

文章采用一种热蒸发的方法在镀有Zn膜的掺F的SnO2(FTO)导电玻璃上制备出球形花状ZnO微-纳米分级结构,利用SEM、XRD、PL等手段对球形微-纳米结构的形貌、成分和发光性能进行了分析。分析结果表明,球形花状六方纤锌矿ZnO微-纳米分级结构具有表面多孔特征,有利于染料的吸收。球形花状ZnO微-纳米结构存在近带边发射的近紫外发光(402nm)和来自于深能级缺陷的可见发光(460nm和500nm)。将所制备的样品作为光阳极组装成染料敏化太阳能电池(DSSC),该电池的转换效率η=0.67%,比以纳米棒、树枝状纳米结构、纳米梳作为光阳极材料的DSSC的转换效率要高,但是整体转换效率不高,这是由于晶体内部较多缺陷引起的。

掺铟氧化锡“之”字形纳米线结构及发光性能研究

掺铟氧化锡(ITO)是一种宽带隙透明导电半导体材料,广泛地应用于各种平板显示器和气敏元件等。该文利用碳热还原方法成功制备出铟掺氧化锡"之"字形掺铟氧化锡纳米线结构,借助X射线衍射分析仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜以及能谱分析观测纳米线的结构形貌以及成分分析,提出了一种"之"字形结构可能的形成模型,并进一步研究了氧化铟锡在室温下的光致发光性能;光致发光光谱主要包含有5个发光峰,分别是紫光峰(400 nm)、蓝光峰(452 nm,470 nm)、青光峰(487 nm,497 nm)。

碳纳米管/氧化锌复合结构的可控合成

详细介绍了在碳纳米管基底上制备氧化锌纳米结构的多种方法,如蒸汽反应法、碳热还原法、原子层沉积法以及水热沉积法,探讨了不同方法和不同参数对氧化锌纳米结构及其性能的影响,结合目前实验分析了制备碳纳米管/氧化锌复合结构存在的问题及解决方案,展望了碳纳米管/氧化锌复合材料的发展方向和应用前景。

电化学沉积法制备Co-ZnO薄膜及其室温铁磁性

用电化学沉积方法,在锌片上成功制备出了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜。XRD研究表明,Co-ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相。由XPS测量结果可知,钴离子在ZnO薄膜中以+2价的形式存在,替换了ZnO晶格中部分Zn2+。通过样品室温铁磁性测量结果进一步验证了Co2+取代了ZnO晶格中Zn2+的格位。