应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM

基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm^(2),有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。

2 GHz~4.2 GHz MMIC低噪声放大器设计

本次设计采用0.25 um GaAs E-Mode p HEMT工艺,利用ADS仿真软件设计了一款工作在2 GHz~4.2 GHz的MMIC低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)。该放大器采用单电源供电的两级放大结构,通过在晶体管源极加入高精度的小电感负反馈元件改善输入回波损耗,以及采用栅极与漏极之间并联RCL负反馈的结构改善增益平坦度和拓宽带宽。仿真结果表明,在2 GHz~4.2 GHz频带内,增益大于30.7 dB,增益平坦度为±0.282 d B,噪声系数小于1.524 dB,输出1 dB压缩点大于16 d Bm,输入输出回波损耗均大于16 dB,芯片面积为0.94×1.05 mm^(2)。

市建设系统信息建设已具规模

国际互联网作为一种迅速崛起的传播媒体已经越来越深入到人们的日常生活中,网络对于人们来说,不再陌生和遥远。上海的建设行业在现代化信息浪潮的冲击下,也正向着信息网络化进军。 90年代以后,信息作为一个重要的资源受到了各行各业。