碲化镉多晶合成工艺研究

使用多温区摇摆炉摇摆法制备了Ф52 mm的碲化镉多晶,深入研究了不同装料方式、温度工艺对晶体样品表面状态的影响规律。碲化镉晶体属于立方晶系,为闪锌矿结构。随着装料层数的增加,第一反应温度波动区温度升幅由172℃增加至278℃,温度变化速率由27.6℃/min增加至75.9℃/min。表明随着装料层数的增加,碲和镉之间的反应速率也显著提升,二者反应放热导致出现第一反应温度波动区。而随着降温由0.35℃/min降低至0.2℃/min,样品表面状态显著改善,表面孔洞数量大幅减少甚至消失,有利于碲化镉多晶后续的进一步加工。

LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷

通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.

超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺

在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。

非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质

通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.