相变储能材料中降低过冷度的方法

本文简述了相变储能材料过冷度的研究进展和影响相变储能材料过冷度的因素,并分析了晶体成核理论以及成核过程中过冷现象产生的机理。综述了现阶段改善过冷度常用的有效方法,并根据这些方法总结并归纳出现阶段的不足以及对未来的展望。

铁硅铝磁粉绝缘包覆膜的制备研究

本实验选用CrO_3-H_3PO_4复合包覆剂对铁硅铝磁粉进行绝缘包覆,采用Tafel曲线、SEM对磁粉复合包覆膜进行了防腐性能测试分析及表面微观形貌表征分析。结果表明,相对于CrO_3-1.3 wt%H_3PO_4复合体系,CrO_3-2.0wt%H_3PO_4复合体系所形成的包覆膜能有效阻碍腐蚀介质NaCl对基体的腐蚀,抗腐蚀性能得到提高。其中腐蚀电流由6.23×10^(-6)下降至5.57×10^(-6)μA·cm^(-2),腐蚀电位由-140 mV正移至-70 mV。随着磷酸质量分数的增加,所生成的复合包覆膜表面出现了微裂纹。

羟基硅酸镁/硅烷复合膜的制备及其耐蚀性能研究

采用水热合成法制备微米级的羟基硅酸镁粉体,探讨在冷轧钢板表面制备羟基硅酸镁/硅烷复合膜的最佳羟基硅酸镁添加量,通过极化曲线、交流阻抗、硫酸铜点滴实验研究硅烷复合膜的耐蚀性能,使用扫描电子显微镜分析表征粉体及硅烷复合膜的表面形貌。结果表明:当羟基硅酸镁粉体用量为100 mg/L,羟基硅酸镁/硅烷复合膜膜层较为致密,自腐蚀电流密度由硅烷膜的2.603×10^(-6)A/cm^2下降到4.368×10^(-7)A/cm^2,提高了其耐腐蚀性能。