掺硫硒化镓晶体在太赫兹波段的光学特性

利用太赫兹时域光谱技术测量了掺硫硒化镓（GaSe1-xSx）晶体在太赫兹波段的光学参数,包括折射系数、吸收系数等。使用自由空间电光取样法获得了太赫兹电磁波的脉冲波形,对不同硫掺杂量的硒化镓晶体进行了研究,在硫的掺杂量为0,0.01,0.14,0.26,0.37时,在0.22.0 THz测得了GaSe1-xSx的折射系数、吸收系数等光学参数。此外还在吸收光谱上观察到E′^（2）和E″^（2）两个声子振动模态,其强度与频率会随着硫的掺杂量而改变,且即使是微量的硫掺杂也会影响吸收光谱上的声子振动模态。最后,在相位匹配ee-e的条件下,模拟了利用锁模钛蓝宝石激光使此类晶体产生太赫兹辐射的可能性。

GaSe：AgGaSe_2晶体的光学性能及应用(英文)

从GaSe:AgGaSe2熔体(质量掺杂浓度为10%)中生长的非线性光学晶体ε-GaSe:Ag晶体(质量掺杂浓度≤0.04%)是一种非中心对称晶体,可用于相位匹配频率转换。Ag的掺入使GaSe晶体的显微硬度提高了30%,从而使其可以在任意方向上进行切割和抛光。本文研究了GaSe:AgGaSe2晶体在可见、中红外及太赫兹波段的光学性能。实验证明:GaSe:AgGaSe2晶体的吸收系数是纯GaSe晶体的2倍,其CO2激光倍频效率是ZnGeP2晶体的1.7倍。

掺碲硒化镓晶体的光学性能(英文)

采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明:当Te掺杂浓度小于0.38%时,振动中心位于0.59 THz附近的E'(2)刚性模式吸收峰强度可达最大值,这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E'(2)刚性模式吸收峰强度逐渐减弱,当Te掺杂浓度为1%时,E'(2)刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe∶Te晶体光学质量的下降密切相关。因此,E'(2)刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度,光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。