2～3英寸半绝缘LEC GaAs单晶特性分布研究

本文叙述用Van der Pauw法和腐蚀法测量的2～3英寸半绝缘LEC-GaAs单晶的特性分布,即电阻率、霍尔迁移率、霍尔浓度和位错密度的纵向和横向分布。通过测试分析,揭示了原生晶体和经过整锭热处理晶体的特性分布规律,发现有的结果与国外报道的类似,有的结果至今未见报道;一些晶体经过热处理,均匀性有明显改善,但有的就变化不大。这表明,对于不同的原生晶体,可能需要采用不同的热处理条件,才能获得均匀的结果;另外,对所得结果进行了初步的分析和探讨,寻找了电学性质均匀性与晶体完整性的内在关系,为改善晶体的均匀性提供了有用的实验依据。

LEC轻掺铬半绝缘GaAs单晶电学性质均匀性研究

近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET阀值电压的不均匀性。而要解决这一问题就要研究GaAs晶体电学性质的均匀性。本文用Vander Pauw法测定了轻掺铬SI-GaAs单晶体的电阻率、霍耳迁移率和载流子浓度的横向和纵向分布。

MBE法生长的调制掺杂GaAs／Al＿xGa＿（1－x）As异质结构材料的输运特性研究

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（Ｂ＜０．６Ｔ）和低温（Ｔ＝７７Ｋ）条件下，研究了ＨＥＭＴ器件用调制掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ异质结构材料的输运特性。给出了材料电学参数（ρ、ｎ和μ）与Ｂ的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。

半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响

本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10^(16)cm^(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10^(15)cm^(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。

半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究

报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。

国外××公路路基设计介绍

近年来,随着改革开放,我国向国外提供的经济技术援助以及劳务合同项目逐渐增加,以下就近期我国对外援建的一条公路的建设,将该公路路基设计的一些情况作些介绍,供作同类工作的人员参考。

调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究

报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。

雷公山区的生态地质特点

在大地构造上隶属于江南台隆的雷公山区,出露地层为元古界下江群,分布岩石以板岩为主,地质构造以宽缓的褶皱占优势。岩石中节理十分发育,风化壳疏松深厚。风化壳下部密集的网状裂隙带强烈地吸收着大气降水,形成了一个埋藏极浅、储量丰富、动态稳定的潜水层,致使其上部土层侵蚀微弱而又常年处于湿润状态。加之地形破碎、土壤物理性能良好,从而导致了在同一气候带里杉木林的速生丰产,成为一种宜林宜杉程度极高的土地类型。

雷公山区的生态地质特点

雷山地区分布着以板岩为主的浅变质岩.这类岩石的分布区风化壳极其发达,地形十分破碎,土层深厚疏松,浅层潜水的分布非常普遍而丰富.从而形成了一种极好的林用土地类型.

论小学语文个性化阅读的教学策略

新课标指出：“阅读是学生的个性化行为，应该引导学生钻研文本，在主动积极的思维和情感活动中，加深理解和体验，有所感悟和思考，受到情感熏陶。要珍视学生独特的感受、体验和理解。”本文在小学语文阅读教学对策领域提出教学策略。

贵阳—独山地区影像构造研究

贵州贵阳—独山地区构造在TM影像上具有较高的可识别性。本次构造解译以Land-sat-7TM为数据源,选择各波段之间相关系数最小的TM7、TM4、TM1波段合成假彩色图像,采用人机交互的目视解译方法对褶皱、断裂构造、环形构造等三类遥感构造进行了解译,解译结果与野外填图的构造调查结果对比,吻合度较好。

黔北习水地区侏罗系河流沉积环境的研究

侏罗纪时期,河流作用是最主要的地质营力,在适宜的构造条件下,发育了2000多米厚砂质河流沉积。根据1:5万区调资料分析,将砂质河流环境划分为三大亚环境和四种沉识类型,并对每一种类型确立了沉积序列,叙述了自身独有的特性。