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分散剂PEG对ITO前驱物浆料稳定性能的影响
被引量:
6
1
作者
朴圣洁
刘家祥
曾胜男
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期1465-1468,共4页
以金属铟和结晶四氯化锡为原料,加入各种添加剂制备了稳定的ITO前驱物浆料。利用Zeta电位、扫描电镜、沉降试验研究了分散剂PEG对浆料稳定性能的影响。结果表明,分散剂PEG与ITO前驱物氢氧化物胶粒表面建立了较强的氢键,通过空间位阻稳...
以金属铟和结晶四氯化锡为原料,加入各种添加剂制备了稳定的ITO前驱物浆料。利用Zeta电位、扫描电镜、沉降试验研究了分散剂PEG对浆料稳定性能的影响。结果表明,分散剂PEG与ITO前驱物氢氧化物胶粒表面建立了较强的氢键,通过空间位阻稳定作用提高了浆料的稳定性;PEG的加入可使浆料中固体颗粒分散均匀,颗粒粒度主要分布在50~100nm之间;沉降试验和粘度的测定表明,浆料pH值在8.0,分散剂PEG用量在1.0%~2.0%(质量分数,下同),粘度在2.1~2.6mPa.s时,在沉降120h后的浆料中,固体颗粒沉降体积百分比在10%以内,能够保证浆料的相对稳定。
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关键词
ITO前驱物浆料
分散剂
粘度
性能
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职称材料
胶体法制备透明导电ITO薄膜
被引量:
3
2
作者
刘家祥
甘勇
朴圣洁
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1169-1172,共4页
以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电...
以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm^15nm,具有较好的分散性和稳定性;ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360nm^800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到258?/□,其透过率在波长550nm处达到89.6%,且薄膜表面平整。
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关键词
胶体法
ITO
薄膜
微结构
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职称材料
题名
分散剂PEG对ITO前驱物浆料稳定性能的影响
被引量:
6
1
作者
朴圣洁
刘家祥
曾胜男
机构
北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期1465-1468,共4页
基金
国家高技术研究"863"基金资助项目(2004AA303542)
文摘
以金属铟和结晶四氯化锡为原料,加入各种添加剂制备了稳定的ITO前驱物浆料。利用Zeta电位、扫描电镜、沉降试验研究了分散剂PEG对浆料稳定性能的影响。结果表明,分散剂PEG与ITO前驱物氢氧化物胶粒表面建立了较强的氢键,通过空间位阻稳定作用提高了浆料的稳定性;PEG的加入可使浆料中固体颗粒分散均匀,颗粒粒度主要分布在50~100nm之间;沉降试验和粘度的测定表明,浆料pH值在8.0,分散剂PEG用量在1.0%~2.0%(质量分数,下同),粘度在2.1~2.6mPa.s时,在沉降120h后的浆料中,固体颗粒沉降体积百分比在10%以内,能够保证浆料的相对稳定。
关键词
ITO前驱物浆料
分散剂
粘度
性能
Keywords
ITO precursor slurry
dispersant
viscosity
performance
分类号
TM242 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
胶体法制备透明导电ITO薄膜
被引量:
3
2
作者
刘家祥
甘勇
朴圣洁
机构
北京化工大学材料科学与工程学院可控化学反应科学与技术基础教育部重点实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1169-1172,共4页
基金
国家高技术研究"863"基金资助项目(2004AA303542)
文摘
以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm^15nm,具有较好的分散性和稳定性;ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360nm^800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到258?/□,其透过率在波长550nm处达到89.6%,且薄膜表面平整。
关键词
胶体法
ITO
薄膜
微结构
Keywords
colloid method
ITO
film
microstructure
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
分散剂PEG对ITO前驱物浆料稳定性能的影响
朴圣洁
刘家祥
曾胜男
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
6
下载PDF
职称材料
2
胶体法制备透明导电ITO薄膜
刘家祥
甘勇
朴圣洁
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
下载PDF
职称材料
已选择
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引证文献
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