镓铟砷/铝铟砷QW LD中俄歇复合及其对T_0的影响

修正了现行俄歇复合率的公式，并用之分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合率随载流子浓度和温度变化的行为。发现其阈值电流密度随温度的变化行为可分为特征温度（Ｔ０）不同的相邻两个温区，在较高温区，量子尺寸效应作用不大，在较低温区，量子尺寸效应反而降低了Ｔ０，并对此意外的现象提出初步的解释。

GaInAs/AlInAs量子阱激光器特性——价带间光吸收对微分量子效率和特征温度的影响

计算和分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ半导体量子阱激光器（ＱＷＬ）中的价带间光吸收系数及其对微分量子效率（η０）和特征温度（Ｔ０）的影响。结果表明，价带间光吸收系数随带隙增加而减小，随温度和载流子浓度增加而增加，其所引起的阈值和出光微分量子效率的变化趋势虽然与实验观察到的相类似，但数值上却不起明显的作用。因此，价带间光吸收这种温敏光子损耗机制对长波长半导体激光器的温度效应不可能起主要的作用。