功率晶体管直流安全工作区的描绘方法

本文给出了通过测试器件热阻来描绘其安全工作区的方法,采用该方法确定的安全工作区的二次击穿限比用二次击穿测试仪测得的要低,但能避免器件的损伤和永久性损坏,确定出的安全工作区是安全的.

镍锡金属化半导体致冷器的电冲击试验研究

报导了采用电冲击方法,试验比较了镍锡金属化层和普通锑铋合金金属化层用于半导体致冷器制造时产生的性能上的差别.试验结果表明,镍锡金属化层提高了致冷器的电性能和耐电、热冲击性能。

半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究

试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．

考虑量子效应的MOS器件表面势模型

介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理意义清晰,适合于植入到基于表面势的集约模型中。

数字检相式互感器校验仪误差分析

对数字检相式互感器校验仪进行了误差分析，包括取差电阻自身阻值误差和对取差互感器反作用误差、９０°移相误差、异或门检相误差、ＣＬＫ频率误差、平衡彻底世误差、Ｄ／Ａ转换误差、传输系数误差、关门误差及噪声等。通过分析，认为起主要作用的是ＣＬＫ频率和异或门检相带来的误差，在最佳ＣＬＫ频率，两项之和近达±１％ＦＳ。最后，整机误差综合后误差略超±１％ＦＳ，与实测结果相符。

Reliability Investigation of Semiconductor Coolers

The tests on the thermoelectric shock of semiconductor coolers show that the life of semiconductor coolers follows the Weibull distribution. After the early failed devices are removed, the failure rule of the devices can be described as an exponential distribution. The main failure mode is tile crack between electric couple material and welding pad. The failure mechanism is the orientated incline and easy splitting of the thermoelectric materials and the stress of substrate deformation due to the temperature difference between the two sides of the cooler. The reliability of the devices can be improved by using multi-layer metalization in electric couple welding.

Bi_2Te_3－Bi_2Se_3－Sb_2Te_3赝三元热电材料红外热堆探测器

本文所提出的红外辐射探测器是由具有同一个辐射接收面、６对热电偶串联而成．所选用的热电材料为具有高优值系数的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｂｉ２Ｓｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３三八式赝元热电合金材料．通过器件尺寸的优化，取得了较高的灵敏度．文中系统阐述了探测器的制作工艺和器件性能。