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Ⅰ型倍增层对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响
1
作者
方小坤
叶伟
+2 位作者
权贝贝
朱朝阳
萧生
《应用光学》
CAS
北大核心
2024年第3期659-664,共6页
红外探测器的光电特性会受到内部结构倍增层参数的影响,为了能够改善器件的雪崩效应,借助仿真软件Silvaco-TCAD,详细探讨了Ⅰ型倍增层的残余掺杂浓度和厚度对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响。研究结果表明,随着Ⅰ型倍增层掺...
红外探测器的光电特性会受到内部结构倍增层参数的影响,为了能够改善器件的雪崩效应,借助仿真软件Silvaco-TCAD,详细探讨了Ⅰ型倍增层的残余掺杂浓度和厚度对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响。研究结果表明,随着Ⅰ型倍增层掺杂浓度的增加,其倍增层内的电场强度峰值增加,同时光响应度略微增加;随着Ⅰ型倍增层厚度的增加,其倍增层的光响应度与暗电流密度升高,同时电场强度峰值减少。进一步研究表明,当Ⅰ型倍增层残余掺杂浓度和厚度分别为1×10^(15)cm^(−3)和3μm时,有利于雪崩过程。
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关键词
Ⅰ型倍增层
INSB
掺杂浓度
SAM结构
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职称材料
利用家庭调查为问题学生“把脉”
2
作者
权贝贝
《河南教育(基教版)(上)》
2021年第4期58-59,共2页
针对前两年出现的"寒门再难出贵子"的言论,有人提出阶层固化之类的观点,还有人提出基因决定说,都引起了广泛争议。基因包括生物基因和社会基因。生物基因是出生之时的DNA决定的,是先天的;而社会基因是从家庭、学校、社会后天...
针对前两年出现的"寒门再难出贵子"的言论,有人提出阶层固化之类的观点,还有人提出基因决定说,都引起了广泛争议。基因包括生物基因和社会基因。生物基因是出生之时的DNA决定的,是先天的;而社会基因是从家庭、学校、社会后天学来的,父母的为人处世、见识见解,以及解决问题的方式方法都会潜移默化地传承下来。
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关键词
生物基因
为人处世
阶层固化
潜移默化
解决问题的方式
家庭
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职称材料
In_(0.83)Al_(0.17)As倍增层对In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响
被引量:
1
3
作者
叶伟
杜鹏飞
+3 位作者
权贝贝
李梦飞
萧生
刘佳
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期1-8,共8页
倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电...
倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电场强度、电流特性和电容特性的影响规律。研究表明,随着倍增层厚度的增加,器件的电场强度和电容呈减小趋势。同时,倍增层掺杂浓度的增大会引起电容和倍增层内的电场强度峰值增加。进一步研究发现,随着倍增层厚度的增加,器件的穿通电压线性增大,击穿电压先减小后增大,但倍增层掺杂浓度的增加会引起器件击穿电压的减小。此外,用电场分布和倍增因子的结合解释了器件穿通电压与击穿电压的变化。
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关键词
探测器
雪崩光电探测器
倍增层
电场分布
穿通电压
击穿电压
原文传递
题名
Ⅰ型倍增层对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响
1
作者
方小坤
叶伟
权贝贝
朱朝阳
萧生
机构
扬州市职业大学电子工程学院
陕西理工大学机械工程学院
西北工业集团有限公司
出处
《应用光学》
CAS
北大核心
2024年第3期659-664,共6页
基金
陕西省教育厅重点实验室项目(16JS016)
陕西省教育厅专项科研计划(18JK0151)
+2 种基金
陕西省“十四五”教育科学规划2022年度课题:产教融合下的项目式教学课程思政教学研究与实践(SGH22Y1351)
陕西理工大学科研项目(202060250)
自然科学基金面上项目(YZ2016124)。
文摘
红外探测器的光电特性会受到内部结构倍增层参数的影响,为了能够改善器件的雪崩效应,借助仿真软件Silvaco-TCAD,详细探讨了Ⅰ型倍增层的残余掺杂浓度和厚度对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响。研究结果表明,随着Ⅰ型倍增层掺杂浓度的增加,其倍增层内的电场强度峰值增加,同时光响应度略微增加;随着Ⅰ型倍增层厚度的增加,其倍增层的光响应度与暗电流密度升高,同时电场强度峰值减少。进一步研究表明,当Ⅰ型倍增层残余掺杂浓度和厚度分别为1×10^(15)cm^(−3)和3μm时,有利于雪崩过程。
关键词
Ⅰ型倍增层
INSB
掺杂浓度
SAM结构
Keywords
type I multiplier layer
InSb
doping concentration
SAM structure
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
利用家庭调查为问题学生“把脉”
2
作者
权贝贝
机构
孟津县第一中学
出处
《河南教育(基教版)(上)》
2021年第4期58-59,共2页
文摘
针对前两年出现的"寒门再难出贵子"的言论,有人提出阶层固化之类的观点,还有人提出基因决定说,都引起了广泛争议。基因包括生物基因和社会基因。生物基因是出生之时的DNA决定的,是先天的;而社会基因是从家庭、学校、社会后天学来的,父母的为人处世、见识见解,以及解决问题的方式方法都会潜移默化地传承下来。
关键词
生物基因
为人处世
阶层固化
潜移默化
解决问题的方式
家庭
分类号
G63 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
In_(0.83)Al_(0.17)As倍增层对In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响
被引量:
1
3
作者
叶伟
杜鹏飞
权贝贝
李梦飞
萧生
刘佳
机构
陕西理工大学机械工程学院
西北工业集团有限公司
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期1-8,共8页
基金
陕西省自然科学基础研究计划(2018JQ5138)
陕西省教育厅专项科学研究计划(20JZ029)。
文摘
倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电场强度、电流特性和电容特性的影响规律。研究表明,随着倍增层厚度的增加,器件的电场强度和电容呈减小趋势。同时,倍增层掺杂浓度的增大会引起电容和倍增层内的电场强度峰值增加。进一步研究发现,随着倍增层厚度的增加,器件的穿通电压线性增大,击穿电压先减小后增大,但倍增层掺杂浓度的增加会引起器件击穿电压的减小。此外,用电场分布和倍增因子的结合解释了器件穿通电压与击穿电压的变化。
关键词
探测器
雪崩光电探测器
倍增层
电场分布
穿通电压
击穿电压
Keywords
detectors
avalanche photodetector
multiplication layer
electric field distribution
punch-through voltage
breakdown voltage
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ⅰ型倍增层对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响
方小坤
叶伟
权贝贝
朱朝阳
萧生
《应用光学》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
利用家庭调查为问题学生“把脉”
权贝贝
《河南教育(基教版)(上)》
2021
0
下载PDF
职称材料
3
In_(0.83)Al_(0.17)As倍增层对In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响
叶伟
杜鹏飞
权贝贝
李梦飞
萧生
刘佳
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
1
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