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题名探针加力对电阻率测量的影响
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作者
李万策
张继荣
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2019年第3期591-594,599,共5页
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文摘
电阻率是半导体材料的重要电学参数之一,对于最常见的硅单晶材料而言,也将直接影响到其功能特性。通过对单晶施加的不同探针加力得到所测量单晶的电阻率相对标准偏差与相对误差,探讨四探针法测量连续硅单晶电阻率的准确度问题。150gf加力下测试标准偏差相较于其他加力降幅明显,但120gf加力下测试相对误差相比于其他测试加力降幅最大可达1%。因此120gf加力附近时,探针与硅片表面的接触相对另外选取几个加力选取值来说可以达到最优状态。
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关键词
电阻率
探针加力
相对误差
四探针
硅单晶
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Keywords
resistivity
probe applied force
relative error
four point probe
silicon single crystal
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分类号
TN307
[电子电信—物理电子学]
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题名不同选点方案下硅单晶薄层径向电阻率变化
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作者
李万策
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2017年第6期24-27,69,共5页
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文摘
影响半导器件生产的的因素有很多,而硅单晶电阻率不均匀性就是众多衡量硅材料质量参数中的一个。电阻率对后道加工器件的稳定和重复性,甚至器件的质量参数指标都有很大的关联。硅单晶电阻率均匀性的指标要求也随着半导体器件的加工日益精细化,因此,从国标中径向电阻率几种不同的选点方案入手分析几种方式的异同。
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关键词
硅单晶
径向电阻率
四探针
不均匀性
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Keywords
Silicon single crystal
Radial resistivity: Four probes
Inhomogeneity
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分类号
TN307
[电子电信—物理电子学]
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题名区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
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作者
邢友翠
闫萍
刘玉岭
李万策
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2018年第5期50-54,共5页
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文摘
因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析,并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌。单晶生长实验结果表明,除生长速率与晶体中的微缺陷变化具有明显的对应关系外,晶体生长界面附近的温度梯度、晶体直径以及晶体生长的气氛环境等因素也与晶体中的微缺陷直接相关。
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关键词
区熔工艺
硅单晶
漩涡缺陷
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Keywords
Zone melting process
Silicon single crystal
Vortex defect
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分类号
TN304.05
[电子电信—物理电子学]
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题名探析无人机在贺州市林业调查中的应用
被引量:1
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作者
董云
李万策
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机构
贺州市林业局
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出处
《区域治理》
2020年第12期183-183,共1页
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文摘
为了进一步提高林业调查工作效率,针对无人机在贺州市林业调查中的应用现状,分析了无人机在森林防火中的应用,并对无人机在贺州市林业调查中的其他方面的应用需求进行分析。
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关键词
无人机
林业调查
应用
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分类号
D
[政治法律]
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