应用解析法分析中性点接地系统中的工频铁磁谐振-谐振判据和消谐措施

该文应用解析法讨论了工频铁磁谐振发生的原因和消谐措施。谐振原因是由于非线性电感的工频励磁特性与谐振电路戴维南电源伏安特性有交点,即是由于回路电阻大于临界阻尼电阻。文中给出了临界阻尼电阻公式和消谐措施。对于已经发生谐振的变电站,建议在电压互感器的二次侧并联电阻,使回路的等效电阻小于临界阻尼电阻。应用该方法成功地分析和消除了一110kV变电站的铁磁谐振。

应用解析法分析中性点接地系统中的工频铁磁谐振——非线性电感工频励磁特性的求取

分析工频铁磁谐振时,选择正确的非线性电感励磁特性类型至关重要。通常使用常规励磁特性,由于电压或电流含有高次谐波分量,结论不可靠。该文介绍两种方法来滤除常规励磁特性中高次谐波而求解工频励磁特性。方法一用EMTP进行模拟,得出工频励磁特性上的一些离散点;方法二利用级数法,推导出工频励磁特性的解析表达式。在工频励磁特性的饱和区域(谐振发生区)两种方法所得结果相吻合。

消除中性点接地系统铁磁谐振新方法

由于母线PT励磁特性的非线性 ,铁磁谐振频繁发生在中性点接地变电站的空母线上。本文提出了一种抑制这种现象的方法。在铁磁谐振可能发生之前 ,同时将数个并联的电阻投入PT二次星形侧 ;一段时间之后 ,逐一切除这些电阻 ,以防再次激发铁磁谐振。电阻值和电阻的个数通过EMTP模拟确定。利用EMTP模拟结果很容易绘制电阻 -电压 -频度图 (R V F图 ) ,这种图能直观地显示电阻值变化时对谐振抑制效果的影响。该方法的优点之一是利用R V F图能够很容易地选择消谐电阻 ;之二是不需要关注谐振的性质 ,是基波谐振还是分次谐波谐振。基于上述原理 ,利用PC机、开关卡、可控硅和电阻等 ,开发了消谐器 ,并在一 110kV变电站成功进行了试验。同时本文还证实在PT二次三角形端加入电阻不能消除这种谐振。

母线间电容对铁磁谐振的影响

利用EMTP软件模拟了相间电容对中性点接地系统空母线上铁磁谐振的影响。结果表明,相间电容不仅使谐振的概率增大,而且使谐振电压的幅值增加。因此在分析铁磁谐振现象时不能忽略相间电容。另外,在工程分析中,可取相间电容相等。

BaAlBO_3F_2晶体的生长与形貌

以NaF为助熔剂,BaAlBO3F2和NaF摩尔比为1:1.5,采用熔盐籽晶生长方法,沿[001]方向生长出尺寸为18mm×18mm×12mm的BaAlBO3F2(BABF)晶体。晶体生长参数:降温速率为2-4℃/d,晶体旋转速率为15r/min。研究了BABF晶体的生长形貌,BABF晶体生长过程中,呈现出(001)和(100)晶面。测试了BABF的粉末倍频效应,其倍频系数约为KDP晶体倍频系数的0.8倍。室温下测试了BABF晶体的显微硬度,其(001)面与(100)面显微硬度分别为10.99GPa和8.137GPa。

非线性光学晶体Na_3La_9O_3(BO_3)_8的生长研究

以Na2CO3和H3BO3为助熔剂,Na2CO3和H3BO3摩尔比为7/6,熔质Na3La9O3(BO3)8和助熔剂摩尔比为1/10～1/14,采用顶部籽晶生长方法,生长Na3La9O3(BO3)8晶体,晶体尺寸为30×18×8mm3。本文讨论了籽晶方向对Na3La9O3(BO3)8晶体生长的影响,(100)方向比(001)方向更有利于晶体生长。

750kV GIS中VFTO现场实测波形分析

介绍了在750 kV官亭变电站实测VFTO的方法,通过分析现场实测波形,得到了VFTO的持续时间、残余电荷的电压值、隔离开关触头间的电弧重燃次数、VFTO的峰值和上升速度、VFTO的频率范围。用外推法计算了最大VFTO峰值和上升速度,分别为2.46 pu和12.64 pu/μs。实测结果说明,限制由于隔离开关操作引起的VFTO的有效措施为在隔离开关中装设合/分闸电阻。

中医药治疗血栓性静脉炎54例疗效观察

血栓性静脉炎是临床常见病,多见于产后、术后、外伤、长期输液和长期卧床的病人,可分为浅层静脉炎和深层静脉炎。其病因是湿热蕴结、瘀血滞留脉络,导致脉中血流不畅、血脉凝结。目前,西医尚无特效治疗药物。我们采用中医药对54例患血栓性静脉炎的病人进行治疗,取得了满意的疗效。

豚鼠初级精母细胞延迟外向K^+电流的研究

笔者应用机械分离获得豚鼠单个初级精母细胞,采用全细胞式膜片钳技术记录该细胞离子通道电流.结果表明:在标准盐溶液中,当钳制电位-90mV、指令电压-60～+180mV、步阶电压20mV时,可记录到外向离子电流;将标准盐溶液换成含4mmol/L的四乙基氯化氨(TEA)盐溶液,外向电流显著抑制,冲洗换液后大部分电流恢复,表明此电流为外向K^+流.

膜片钳技术和酶法分离豚鼠初级精母细胞的比较

应用膜片钳技术与酶法分离细胞技术,分别获得豚鼠单个初级精母细胞,观察了光镜下不同浓度伴刀豆蛋白A、不同时间对精母细胞贴壁及经膜表面清洁后封接和破膜的影响.结果表明,膜片钳技术优于酶法分离,细胞贴壁采用0.125g/L伴刀豆蛋白A作用10min为宜,膜表面清洁处理以0.35g/L胶原酶作用5min易于封接和破膜.

丙烯与苯烷基化反应中反应条件对分子筛催化剂失活机理的影响及再生

研究了反应温度、空速、苯 /烯摩尔比对催化剂失活机理的影响。反应温度对催化剂失活机理产生影响 ,而空速及苯 /烯摩尔比的变化对催化剂失活机理不产生影响。氢气法不能使失活催化剂再生 ,提出了氧气法再生工艺的适宜条件。

主动转移型熄弧装置长馈线重载应用问题分析

为分析明确主动转移型熄弧装置在长馈线重载运行时是否存在熄弧困难的问题,建立了单相接地故障时变电站内故障相接地后的等效电路,理论推导了流过故障点的电流表达式。基于ATP-EMTP,对变电站内故障相接地后流过实际接地点的电流进行了数字仿真,得出了流过实际接地点的电流与单相接地过渡电阻的关系。通过实际测量、国外实验结果和行业标准要求等途径得出了实际当中单相接地过渡电阻的范围。根据上述研究结果,搭建实验电路,在实际中可能遇到的最不利熄弧条件下,对主动转移型熄弧装置的熄弧性能进行了测试。实验结果表明:当单相接地故障点的电弧长度超过1.5 mm时主动转移型熄弧装置就能熄灭电弧。综合上述分析结果表明主动转移型熄弧装置在长馈线重负载的情况下不存在熄弧障碍。

自动重合闸期间电流互感器剩磁抑制研究

P级电流互感器广泛用于330kV及以下电力系统,由于其暂态性能差,在铁心中留存大量剩磁。随着电网短路水平增大,电流互感器更易饱和,造成与之相连的继电保护误动。为此,该文提出一种适用于自动重合闸期间的电流互感器剩磁快速抑制方法。该方法由连接在电流互感器二次侧的剩磁抑制电路实现,通过控制开关模块输出电压的极性来逐渐减小铁心的磁通。给出剩磁抑制电路中开关模块输出电压反转次数、直流电压值以及限流电阻的选择方法。利用典型电流互感器参数及其在自动重合闸期间的动态模拟实验数据,进行不同剩磁极性、不同短路电流情况下的测试,结果显示所提出的剩磁抑制方法及其抑制电路是可行的、快速的,并且性能优越。

电流互感器暂态饱和特性的实证分析

针对电力系统中的P级电流互感器的暂态饱和问题,模拟了330 kV/110 kV短路系统中电流互感器的工作情况。在高达48 kA的暂态通流下,利用探究性试验讨论并实证分析了电流互感器的暂态饱和特性。面向暂态饱和特性的应用层面,试验中还连接了差动继电保护装置,讨论了继电保护误动作情况;根据指标暂态系数,给出了保护用P级电流互感器选择的判断依据。在实际电流互感器暂态特性的实证分析下,所得结论为系统投运中的P级电流互感器安全稳定工作问题提供了参考基础。

电流互感器J-A模型参数辨识及大通流动模试验

电流互感器(current transformer,CT)的暂态饱和容易导致继电保护误动作,寻求暂态饱和的原因和防范保护误动的对策特别需要建立CT的分析模型,然而该模型及其参数的构建如何体现实际运行一直是个研究难点。该文首先基于J-A理论给出了CT分析模型,分析了该模型的数值计算思路。然后针对J-A模型中描述不同励磁曲线轨迹的关键参数,研究了以磁感应强度B为优化目标的引力搜索辨识方法。最后,精心设计了330k V系统P级CT的6~48k A大通流动态模拟试验,测试表明CT的J-A模型以及所提的参数辨识算法是有效的、正确的并且符合工程实际。

变压器倍频感应加压的电压测量研究

大型电力变压器局部放电和感应耐压试验采用倍频方式加压,当其激磁电抗不能补偿绕组杂散电容时,试品转为容性负载,试验回路存在容升现象,超高压、大容量变压器的容升问题尤为突出。本文引入容升因子分析容升的严重程度。试验时通常在变压器低压侧并联电抗器以降低试验系统容量,调节并联电抗器补偿度可在一定范围内调节容升因子。若在低压回路使用外接分压器校核回路变比,拆除分压器将导致回路容升因子的变化,一定条件下会产生很大的测量误差。研究表明,通过在高压套管末屏串联标准电容而构成分压器是解决这一问题简便有效的方法。

Na_3La_2(BO_3)_3的晶体结构(英文)

以Na2 CO3 H3 BO3 NaF为助熔剂 ,使用顶部籽晶法生长出Na3 La2 (BO3 ) 3 透明单晶。测定了Na3 La2 (BO3 ) 3 的晶体结构 ,该晶体属正交晶系 ,空间群 :Amm2 (No .38) ,晶胞参数为a =0 .5 15 80 (10 )nm ,b =1.135 0 (2 )nm ,c =0 .732 30(15 )nm ,α=β=γ =90° ,V =0 .4 2 871(15 )nm3 ,密度 :4 .0 5 3g/cm3 。晶体结构中的硼氧基团是平面的BO3 基团 ,BO3 基团相互独立 ,且与Na(1)O6、Na(2 )O8、Na(3)O6和La(1)O9配位多面体连结形成三维网络骨架结构。讨论了Na3 La2(BO3 ) 3 的晶体结构与倍频效应的关系。

苯与丙烯烷基化反应中温度对Y沸石催化剂失活的影响

研究了丙烯与苯反应中反应温度对改性Y沸石催化剂失活的影响。通过TG、元素分析、FT-IR和裂解-色质等手段,分析了失活催化剂中的"焦炭"。结果表明,在较低反应温度下,催化剂失活的原因可能是由于沸石孔口直径为0 7～0 8nm,在超笼内生成较大分子的产物或中间化合物很难扩散出去,滞留在超笼中,导致孔口堵塞;在较高反应温度下,催化剂失活原因可能是催化剂活性中心缓慢地被积碳占据,直至积碳堵塞孔口后,活性便迅速下降。

Na_3La_9O_3(BO_3)_8的晶体结构(英文)

以Na2CO3-H3BO3为助熔剂,用顶部籽晶法生长出Na3La9O3(BO3)8单晶。测定了Na3La9O3(BO3)8晶体结构,结果表明:该晶体属六方晶系,空间群:P62m,晶胞参数为a=b=0.89229(13)nm,c=0.87366(17)nm,α=β=90°,γ=120°,Z=1,V=0.60240(17)nm3,密度为5.066g/cm3。晶体结构中的硼氧基团是平面的BO3基团,BO3基团相互独立,通过与Na(1)O6、La(1)O9和La(2)O8的配位多面体连结形成层状结构,所有层平行于(001)面。描述了NaLaO(BO)晶体在非线性光学材料领域的应用前景。

Na_3La_2(BO_3)_3晶体生长及光谱特性

本文以起始摩尔比为1∶1的Na2CO3∶H3BO3,并添加5%质量分数的NaF为助熔剂,用顶部籽晶法生长出35mm×5mm的透明Na3La2(BO3)3单晶。该晶体属正交晶系,空间群:Amm2,晶胞参数为a=0.51580(10)nm,b=1.1350(2)nm,c=0.73230(15)nm,α=β=γ=90°。测量了Na3La2(BO3)3晶体在室温下的透过光谱,紫外截止波长约为200nm。该晶体常温下稳定,不吸潮,但却易溶于稀酸。