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铱的纳米氧化物作为神经电极(英文)
1
作者
李仁变
黄清南
+1 位作者
朴宗哲
崔福斋
《大连大学学报》
2004年第2期28-30,共3页
厚度为30nm和60nm的铱薄膜应用电子束蒸发硅(Si)和商用纯钛(CP)Ti的薄片而制成 铱薄膜的性能表明它与大片的由Ir和Ir氧化物培育的成纤维细胞Ir.Swiss3T3具有相同的电荷注射性能,并且没有细胞毒性 也表明。
关键词
铱薄膜
纳米氧化物
神经细胞
电极
电子束蒸发
纳米薄膜
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职称材料
题名
铱的纳米氧化物作为神经电极(英文)
1
作者
李仁变
黄清南
朴宗哲
崔福斋
机构
延世大学
清华大学
出处
《大连大学学报》
2004年第2期28-30,共3页
文摘
厚度为30nm和60nm的铱薄膜应用电子束蒸发硅(Si)和商用纯钛(CP)Ti的薄片而制成 铱薄膜的性能表明它与大片的由Ir和Ir氧化物培育的成纤维细胞Ir.Swiss3T3具有相同的电荷注射性能,并且没有细胞毒性 也表明。
关键词
铱薄膜
纳米氧化物
神经细胞
电极
电子束蒸发
纳米薄膜
Keywords
thin Ir nano-oxidic film
electron beam evaporation
nano-film
分类号
R318 [医药卫生—生物医学工程]
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作者
出处
发文年
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1
铱的纳米氧化物作为神经电极(英文)
李仁变
黄清南
朴宗哲
崔福斋
《大连大学学报》
2004
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