兔病毒性出血症病毒YL株衣壳蛋白(VP60)基因的克隆和生物信息学分析

应用RT-PCR方法从兔出血症病毒(RHDV)西北分离株YL株中克隆出衣壳蛋白VP60基因并测序,YL株是中国西北地区首株被测序的RHDV,测序结果显示VP60基因全长1 740 bp,编码579个氨基酸,测序结果在GenBank中注册(登录号为DQ530363)。从GenBank下载全部已发表的40株RHDV序列,运用生物信息学软件分析,构建系统进化树和氨基酸序列同源性表,结果表明,世界不同地区RHDV分离株基因序列虽然非常保守,达到90%以上,但可以分为5个基因群,并且基因型和地域性没有必然联系,中国的分离株除了WX84株外,其它均处于第V基因群,该基因群内近年分离出的中国4个不同大地区(西北、华东、东北、西南)的RHDV毒株与NJ85株遗传距离很近,很可能都来自同一毒株NJ85。同时,对4个不同大地区的近年的4个代表性分离株的二级结构、抗原性进行了预测分析,结果显示二级结构有一定差异,但抗原性相同,这与RHDV只有一个血清型的看法相一致。

PZT压电厚膜的研究现状与进展

PZT压电厚膜材料具有良好的压电性能,它兼顾了块体材料和薄膜的优点,近年来得到了广泛的研究与应用。本文简述了制备PZT压电厚膜的制备方法及基板、电极材料的研究情况,讨论了目前制造PZT压电厚膜所存在的基板与厚膜之间的高温扩散以及丝网印刷用厚膜浆料难以分散均匀等共性问题,同时,就如何解决这些问题进行了评述。

串叶松香草高效再生体系的建立与兔出血症病毒YL株外壳蛋白基因VP60对其遗传转化

通过对串叶松香草(Silphium perfoliatumL.)不同激素浓度配比的诱导分化实验,建立了串叶松香草离体培养高效再生体系,结果表明MS+6-BA(2.0mg/L)+NAA0.1(mg/L)培养基可高效诱导愈伤组织和芽的分化,1/2MS+IBA(0.1mg/L)培养基可快速诱导根的生成,形成再生植株。构建了植物表达载体pBI121-VP60,利用根癌农杆菌(Agrobacterium tumefaciens)介导叶盘法转化串叶松香草以研究高效的串叶松香草转化体系,结果显示以农杆菌LBA4404为介导菌株、以叶片为转化外植体、3d预培养时间和3～4d共培养时间、400mg/L羧苄青霉素和40mg/L卡那霉素筛选浓度转化效果较好,并已筛选到两株拟转基因植株,为利用串叶松香草生产兔出血症病毒动物可食用疫苗建立了初步的技术基础。

兔出血症病毒YL株衣壳蛋白VP60基因在原核系统中的高效表达

为了在原核系统中高效表达兔出血症病毒(RHDV)衣壳蛋白VP60,应用RT-PCR方法从兔出血症病毒(RHDV)西北分离株YL中克隆出了衣壳蛋白VP60基因并测序,结果显示,YL株VP60基因全长1740 bp,GC含量为55.3%,已在GenBank中注册(登录号为DQ530363),VP60基因与中国RHDV最早期分离株WX84的VP60基因核苷酸序列同源性为93.0%,氨基酸序列同源性为95.8%。构建成功YL株VP60基因原核表达载体VP60-pET32a,转化到大肠杆菌表达菌株BL21(DE3)中。1 mmol/L IPTG诱导表达,SDS-PAGE检测结果显示,VP60融合蛋白分子质量约为75 ku,其表达量占总菌体蛋白的39.8%。Western blot检测结果表明,VP60融合蛋白可以和RHDV抗血清发生特异反应。本研究结果显示,兔出血症病毒在干旱半干旱条件下的遗传变异和免疫学特征无较大变化。

无铅压电陶瓷制备方法的研究进展

无铅压电陶瓷的开发和应用已经成为各个国家的研究热点。无铅压电陶瓷的制备方法是决定其结构、性质和应用的关键因素。本文从粉体制备方法和陶瓷制备新技术两个方面综述了近几年无铅压电陶瓷制备方法(如溶胶-凝胶法、水热法、熔盐法、压电厚膜技术、放电等离子烧结技术等)的研究进展,并对制备出的无铅压电陶瓷的性能与传统方法进行了对比,讨论了不同制备方法的优缺点。

普那菊苣高效再生体系建立和遗传转化研究

普那菊苣为菊科多年生草本植物,从国外引种后已在我国得到广泛种植。普那菊苣草质柔嫩,适口性优良,营养丰富,牛、羊、猪、鱼、兔极喜食,是一种非常优良的牧草,具有广阔的发展前景。本研究通过对不同激素浓度配比实验,建立普那菊苣的高频再生体系,结果表明MS+6-BA2.0mg/L+IBA0.1mg/L培养基可高效诱导愈伤组织和芽的分化,1/2MS培养基可快速诱导根的生成,形成再生植株。通过构建植物表达载体pBI121-GFP,利用农杆菌介导转化普那菊苣以探寻高效的普那菊苣转化体系,结果显示以农杆菌LBA4404为介导菌株、以叶片为转化受体、3d预培养时间和3d共培养时间以及350mg/L羧苄青霉素和40mg/L卡那霉素筛选浓度转化效果较好,为利用普那菊苣生产动物口服型疫苗建立了初步的技术基础。

龙山黑陶显微结构分析和渗碳工艺研究

用扫描电镜(SEM)和能谱仪对龙山黑陶的显微结构和化学组成进行研究。显微结构主要分析外貌结构、气孔、颗粒形状和断面特征等;化学组成主要研究各氧化物的含量,尤其研究含铁量和渗碳量。通过实验分析龙山黑陶的制作工艺和渗碳原理。

烧结工艺对PMS-PNN-PZT压电厚膜性能的影响

采用丝网印刷法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了压电厚膜的烧结温度、烧结气氛对其压电、介电等性能及微观结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及显微结构,结果表明,在密封埋粉的PbO气氛中,烧结温度1060℃,保温时间2 h,制得一种性能良好的压电厚膜陶瓷材料。其中,该压电厚膜压电常数d33为240 pC/N,相对介电常数rε为1 112,机械品质因数Qm为1250,机电耦合系数kp为0.52。

百脉根高频再生体系的建立及兔出血症病毒衣壳蛋白VP60基因的转化

以MS为基本培养基,通过调整激素种类与浓度等培养条件,按正交试验设计的原则,建立了百脉根高频再生体系。结果表明MS+2,4-D2.0mg/L+KT2.0mg/L培养基可高效诱导愈伤组织的形成,MS+6-BA1.0mg/L+NAA0.1mg/L培养基可高效诱导芽的分化,MS+NAA0.1mg/L培养基可快速诱导根的生成,形成再生植株。通过构建植物表达载体VP60-pBI121,研究了根癌农杆菌介导的兔出血症病毒(RHDV)衣壳蛋白VP60基因对百脉根遗传转化的影响因素,建立了百脉根快速高效遗传转化体系,结果表明,以农杆菌LBA4404为介导菌株、以下胚轴为外植体,预培养3d,在OD600为0.6的菌夜中浸染20min,共培养3d,以及300mg/L羧苄青霉素脱菌浓度和50mg/L卡那霉素筛选浓度为最佳转化条件。为利用百脉根生产动物口服型疫苗建立了技术基础。

缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响

采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,及SiO2缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构。结果表明,缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散,样品的d33、εr等都有所提高,所制得的压电厚膜d33为285pC/N,εr为1210,Qm为1330,kp为0.54。

PZT压电厚膜的发展及其应用

PZT压电厚膜材料是20世纪90年代发展起来的一种新型功能材料,它兼顾了块体材料和薄膜材料的优点,具有良好的压电、介电和热释电性能。简述了PZT压电厚膜的国内外研究进展,对PZT压电厚膜的制备方法做了简短的介绍,并对其改性研究做了较为详细的总结,最后,阐述了PZT压电厚膜在国内外的应用并展望了其前景。

MoSi_2含量对原位生成MoSi_2/Si_3N_4复合材料高温氧化性能的影响

研究了不同MoSi2含量的MoSi2/Si3N4复合材料的高温氧化行为,用XRD和SEM分析材料氧化以后的相组成及显微结构,探讨了该材料的氧化机理和氧化膜的破坏方式。结果表明,不同MoSi2含量的MoSi2/Si3N4复合材料在1400℃空气中氧化100h的氧化增量符合抛物线规律,随着MoSi2的含量的增加,材料的氧化活化能升高,氧化后的强度损失率减小。

固体废弃物微硅粉应用研究进展

主要阐述了微硅粉的形成、性质和应用,分析了微硅粉在混凝土、耐火材料、注浆工程的应用机理和作用,探讨了微硅粉的提纯和二次利用,展望了微硅粉在导电复合材料和外墙保温材料新型领域的应用前景。

BN纤维织物增强陶瓷透波材料的制备及其力学性能初探

以全氢聚硅氮烷(PHPS)为先驱体,采用聚合物浸渍裂解工艺制备BN纤维织物增强陶瓷透波材料,研究了复合材料的致密化工艺和力学性能。结果表明:先驱体PHPS在1637℃裂解产物主晶相为α-Si3N4。以PIP工艺制备BNf/Si3N4复合材料,经过4个浸渍裂解周期密度达到1·5g/cm3,复合材料的室温弯曲强度达到39·6MPa。裂解过程中,PHPS与BN纤维发生了强界面反应,导致复合材料力学性能不高。

氮化硼晶须的制备及其表征

利用先驱体转化法制备氮化硼晶须。利用三聚氰胺和硼酸为原料,利用水浴加热方法,生成一种BCN化合物先驱体。将该先驱体化合物在不同的温度段进行热处理后得到氮化硼晶须。借助SEM,FT-IR表征手段分析了不同温度热处理后晶须微观形态以及内部分子结构的变化,并用XRD,TEM等测试手段对最终晶须进行了表征。结果表明:所制备的氮化硼晶须为单晶,直径在0.1—3μm,长径比在10—200∶1,研究发现先驱体纤维烘干温度对晶须长度有很大影响。

Sc-Si-Si_3N_4陶瓷高温氧化对其力学性能的影响

为改善Si3N4陶瓷的抗氧化性能以提高该材料使用寿命和可靠性,以Sc2O3和SiO2为添加剂,用真空热压烧结法制得Sc-Si-Si3N4陶瓷,并对该陶瓷在高温下的氧化行为及力学性能的变化进行了研究.采用X射线衍射、扫描电子显微镜和重量分析法研究了不同温度下的恒温热处理对陶瓷的表面相、氧化后形貌及陶瓷重量的影响;用三点弯曲法测量了抗折强度.结果表明,在1200～1400℃保温,陶瓷的氧化符合抛物线规律,其活化能为521kJ/mol,显示了较好的抗氧化性能.氧化过程主要由晶界添加剂离子及少量杂质离子和氧的双向扩散控制,氧化产生的表面裂纹和空洞使抗折强度明显降低.

NbN/MoSi_2/Si_3N_4陶瓷复合材料氧化性能的研究

以NbN/MoSi2/Si3N4复合材料作为研究对象,研究了其在不同温度下的氧化性能。利用X射线衍射分析、扫描电镜分析和X光能谱分析,对复合材料的氧化产物进行了测定。结果表明试样在1150～1400℃温度范围内氧化出现了2个阶段,即0～15h线形快速氧化阶段,A、B氧化活化能分别为98kJ/mol和132kJ/mol,而15h以后为抛物线缓慢氧化阶段,A、B氧化活化能分别为426kJ/mol和492kJ/mol;气孔率越高,氧化越严重,快速氧化阶段持续时间越长。

原位反应制备NbN/MoSi_2/Si_3N_4复合材料

用Si,Mo和Nb作为起始原料通过预烧结、氮化反应和N2气氛下的热压烧结制备出Si3N4/MoSi2/NbN复合材料,借助扫描电镜和X射线衍射等分析手段对各阶段样品的相组成和显微组织进行了表征,结果表明:在预烧结阶段获得了NbN,MoSi2和未反应的Si相;随着温度的提高,氮化反应生成了α-Si3N4和少量β-Si3N4;最后经热压烧结制备了Si3N4/MoSi2/NbN复合材料。

碳材料表面沉积硅化物的研究

采用化学液相沉积工艺(RCLD),在碳材料表面快速附着一层结合紧密、致密均匀的硅化物涂层,研究了不同直径的预制体表面处理以及电压和电流等对碳材料外部硅化物层结构和性能的影响。结果表明,经王水腐蚀的石墨表面粗糙化,有利于沉积层的生成和附着;预制体的直径为7mm、电压为52V、电流为60A时的抗氧化沉积层具有较好的性能。

PMS-PNN-PT压电厚膜陶瓷材料的研究

利用丝网印刷的方法制备了一种新型复合添加Pb（Mn1/3Sb2/3）O3、Pb（Ni1/3Nb2/3）O3、碱土金属CaCO3、Bi2O3改性PbTi O3压电厚膜陶瓷材料。制得的厚膜膜厚为50-80μm,并具有高压电活性、大压电各向异性、低介电常数及小的介质损耗。分析了预烧粉末和厚膜样品的相结构组成,研究了烧结温度对厚膜陶瓷材料的密度ρ、压电常数d33、厚度机电耦合系数Kt、相对介电常数εr和介质损耗tgδ的影响,结果表明,预烧粉末在850℃下出现了焦绿石相;随着烧结温度的升高,ρ、d33、Kt和εr都是先增大后减小,tgδ先减小后增大。制得了ρ=4.0g/cm3、d33=63.5pC/N、Kt=0.52、εr=143、tgδ=0.009的压电厚膜陶瓷材料。