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功率器件高压平面结终端的实现
1
作者
李佑持
郭彩露
《国外电力电子技术》
1990年第1期6-6,10,共2页
关键词
功率器件
半导体器件
平面结
终端
下载PDF
职称材料
工作电压500V且能保护MOSFET和IGBT的功率集成驱动器
2
作者
Wood,P
李佑持
《国外电力电子技术》
1991年第4期7-10,共4页
关键词
MOSFET
IGBT
驱动器
下载PDF
职称材料
一种具有过压自保护的新型8kV光触发晶闸管
3
作者
Mitle.,H
李佑持
《国外电力电子技术》
1991年第1期27-29,共3页
关键词
晶闸管
光触发晶闸管
过压保护
下载PDF
职称材料
具有槽式门极结构的隔离门极晶体管(IGBT)
4
作者
Chang,HR
李佑持
《国外电力电子技术》
1990年第2期7-10,共4页
关键词
隔离门极
晶体管
IGBT
下载PDF
职称材料
高压大功率达林顿晶体管在感应加热中的应用
5
作者
Sasak.,M
李佑持
《国外电力电子技术》
1989年第4期10-15,共6页
关键词
达林顿晶体管
感应加热
下载PDF
职称材料
题名
功率器件高压平面结终端的实现
1
作者
李佑持
郭彩露
出处
《国外电力电子技术》
1990年第1期6-6,10,共2页
关键词
功率器件
半导体器件
平面结
终端
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
工作电压500V且能保护MOSFET和IGBT的功率集成驱动器
2
作者
Wood,P
李佑持
出处
《国外电力电子技术》
1991年第4期7-10,共4页
关键词
MOSFET
IGBT
驱动器
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种具有过压自保护的新型8kV光触发晶闸管
3
作者
Mitle.,H
李佑持
出处
《国外电力电子技术》
1991年第1期27-29,共3页
关键词
晶闸管
光触发晶闸管
过压保护
分类号
TN342 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
具有槽式门极结构的隔离门极晶体管(IGBT)
4
作者
Chang,HR
李佑持
出处
《国外电力电子技术》
1990年第2期7-10,共4页
关键词
隔离门极
晶体管
IGBT
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高压大功率达林顿晶体管在感应加热中的应用
5
作者
Sasak.,M
李佑持
出处
《国外电力电子技术》
1989年第4期10-15,共6页
关键词
达林顿晶体管
感应加热
分类号
TM924.01 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率器件高压平面结终端的实现
李佑持
郭彩露
《国外电力电子技术》
1990
0
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职称材料
2
工作电压500V且能保护MOSFET和IGBT的功率集成驱动器
Wood,P
李佑持
《国外电力电子技术》
1991
0
下载PDF
职称材料
3
一种具有过压自保护的新型8kV光触发晶闸管
Mitle.,H
李佑持
《国外电力电子技术》
1991
0
下载PDF
职称材料
4
具有槽式门极结构的隔离门极晶体管(IGBT)
Chang,HR
李佑持
《国外电力电子技术》
1990
0
下载PDF
职称材料
5
高压大功率达林顿晶体管在感应加热中的应用
Sasak.,M
李佑持
《国外电力电子技术》
1989
0
下载PDF
职称材料
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