MoS_(2)/rGO电磁屏蔽材料的可控制备及性能研究

随着电磁干扰(EMI)污染的问题日益凸显,亟待研制出具有高度适应性、高效能以及高性能的EMI屏蔽材料。借助水热法与热处理手段能够实现二硫化钼与还原氧化石墨烯(MoS_(2)/rGO)复合材料的制备。rGO片与在其表面原位生成的MoS_(2)纳米片共同构建三维(3D)多孔网络框架,有效防止了二者的堆积。同时,MoS2纳米片与rGO片的结合可以形成稳定的3D导电网络,能够有效提升电子的导电能力和载流子的迁移速率,从而进一步降低体系的传导损耗。此外,该复合材料优异的EMI屏蔽性能可归因于电磁波在材料内部的多次反射和散射。MoS_(2)纳米片与rGO片存在的缺陷位点及其构筑的丰富界面诱导了偶极子极化和界面极化现象,赋予体系优异的EMI屏蔽性能。在X波段范围(8.2~12.4 GHz)内,由于多重损耗机制的协同效应,在厚度为2.0 mm时,MoS_(2)/rGO复合材料的总屏蔽效能(SET)最高可达62.7 dB(平均SET为59.9 dB)。由此可见,MoS_(2)/rGO复合材料具备优异的EMI屏蔽效能,为其他过渡金属硫化物在EMI屏蔽领域的应用研究提供了理论支撑。

基于状态平面模型的多模态恒功率谐振电容器充电电源研究

谐振型电容器充电电源因其高效、高功率密度被广泛应用于脉冲功率领域,其控制方法多为断续模式的恒流控制,控制简单但存在充电速度慢、开关器件应力大的缺点。恒功率控制可以加快充电速度,但电流断续模式(discontinuous conduction mode,DCM)谐振电流峰值大、平均值小,器件应力大;电流连续模式(continuous conduction mode,CCM)充电后期开关频率高,硬关断损耗与干扰严重。为了实现电容器恒功率充电的同时弥补单一CCM或DCM模式充电的不足,该文提出一种新型多模态恒功率控制策略,综合利用CCM电流平均值大、峰值小与DCM开关损耗小的优势。状态平面法便于准确直观分析谐振电路变模式恒功率充电过程,因此文中通过CCM与DCM运行时的状态轨迹推导出恒功率控制模型,设计并实现各充电模态的平滑切换。最后通过实验验证,该多模态恒功率控制策略能够在显著加快充电速度的同时不增加开关器件应力。