多晶硅精炼提纯过程中铝硅合金的低温电解分离

选用AlCl3-NaCl-KCl作为电解液,铝硅合金作为阳极、不锈钢作为阴极,恒电流电解条件下实现了多晶硅精炼提纯中硅铝合金的低温分离。结合扫描电子显微镜、X射线衍射仪等检测手段,研究电解温度、电流密度、电解时间等实验参数对电流效率、沉积铝形貌的影响。研究结果表明:在电流密度为50mA/cm2,电解温度200℃,电解时间60min的条件下,Si-50%Al(质量分数,下同)阳极合金经阳极腐蚀后,阴极电极效率达到最大值93.7%,富硅阳极泥中含有90.4%的多晶硅。

多晶硅太阳能电池片的回收再利用研究

从废弃的太阳能电池片中回收多晶硅原材料对于环境保护和材料的循环再利用具有重要意义。本文研究了用化学溶解和超声清洗回收电池片的最佳条件。分别对实验样品进行EDS、SEM、XPS分析,得出结论:电池片与质量分数为10%的氢氧化钠溶液反应18 min完全去除铝电极,且硅晶片的损失率较小;将完全去除铝电极的电池片在40 kHz超声清洗20 min后银电极完全剥落;电池片与40%氢氟酸溶液反应10 min可以去除氮化硅膜。本研究对质量为8.9068 g的单片电池片进行了定量分析,除去的铝电极质量为1.1102 g,回收得到了0.0766 g的银电极和7.7169 g的硅晶片。

多孔硅对单晶硅少子寿命影响状况的研究

以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。

24688例泌尿生殖道感染患者解脲脲原体与人型支原体的临床检测研究

目的了解泌尿生殖道感染患者解脲脲原体(Uu)与人型支原体(Mh)感染现状。方法采用Uu和Mh培养、鉴定一体化试剂盒对24688例泌尿生殖道感染患者进行Uu和Mh检测。结果本地区泌尿生殖道支原体总检出率为67.72%,单纯Uu、Mh及Uu合并Mh检出率分别为56.61%、2.36%、8.75%;女性患者单纯Uu阳性检出率(64.42%)明显高于男性(47.83%)(χ~2=767.82,P<0.01);2012~2016年期间,Uu、Mh支原体感染率呈逐年上升趋势;26~35岁组单纯Uu阳性检出率(60.45%)高于其他年龄组(χ~2=248.29,P<0.01);患者春季单纯Uu阳性检出率(59.34%)高于其他季节(χ~2=59.34,P<0.01)。结论泌尿生殖道感染患者Uu和Mh支原体感染率较高,且以女性感染为主,Uu和Mh合并感染也不可忽视;Uu和Mh感染具有明显的年龄和季节差异。

采用HF酸浸蚀沉降的方法从单晶硅切割废浆料中回收硅粉

采用HF酸浸蚀沉降的方法回收单晶硅切割废浆料中的硅粉。系统地研究了在回收硅粉过程中,HF酸的浓度,HF酸处理的时间,以及在HF酸浸蚀沉降处理前的超声震荡时间等实验条件对回收率和纯度等性能的影响因素。研究表明,在HF酸浓度为2%,HF酸处理时间24h,超声震荡时间60min的条件下,回收得到的粉体中硅的纯度可以达到82%(质量分数),且回收率可以达到62%的水平。通过此方法可以实现从切割废浆料中回收硅粉。

材料科学基础MOOC平台课程建设及学习效果探讨

随着"互联网+"经济形态的快速发展,MOOCs课程建设目前已在全世界高校普及并快速发展。主要介绍了MOOCs课程的发展现状,并结合材料科学基础课程在中国大学MOOC平台上的课程建设情况,分析了MOOCs课程存在的问题及学习的效果,并分析了问题存在的主要原因,探讨了解决问题的方法。

140例慢性脑供血不足患者的脑电图检测结果分析

目的:探讨脑电图对慢性脑供血不足(CCCI)的诊疗价值。方法:对140例慢性脑供血不足患者行脑电图检测,分年龄段观察脑电图的变化。结果:脑电图正常36例(25.71%);脑电图异常104例(74.28%),其中,边缘状态脑电图90例(86.54%),轻度异常脑电图10例(9.61%),中度异常4例(3.85%);45～49岁组EEG的异常表现以波幅减低、α波活动减少、波幅低平为主,50～59岁组以泛化的慢α波、调幅调节差为主,60岁以上脑电图变化无明显规律,但较前两组出现了散在的或弥漫的θ波,同时可混有少量的δ波,三组患者均未见特异性脑电波改变。结论:脑电图检查对慢性脑供血不足患者的诊断还不具有特征性,但对脑缺血后脑细胞的功能改变有一定的价值,对慢性脑供血不足的诊疗有一定的帮助。

合金精炼提纯过程中金属Sn的电解回收研究

Al-Si-Sn 三元合金精炼方法能够显著提高太阳能级多晶硅的提纯产率,但添加的金属 Sn 与 Si难以分离的问题限制了它的实际应用.选用 SnCl2（60 g/L）作为电解液,Al-Si-Sn 合金（58．14％（原子分数）Al-31．86％（原子分数）Si-10％（原子分数）Sn）作为阳极,高纯 Sn（99．99％）作为阴极,在室温下进行恒电流沉积实验.通过讨论电流密度、电解液 pH 值、沉积时间、搅拌速度等参数对电流效率及 Sn 沉积层形貌的影响,优化电解回收金属 Sn 实验工艺.研究结果表明,在室温下,当磁力搅拌速度为800 r/min,电流密度为0．4～0．5 A/cm2,沉积时间为3～6 min,pH 值为3～4时,电流效率达到最大值.

锡添加对硅铝合金铸锭中初晶硅枝晶宽度及回收率的影响

通过在硅铝合金熔体中添加不同原子分数(0,10%,20%,30%)的锡制备了合金铸锭,研究了锡的添加对该合金铸锭中初晶硅枝晶宽度及回收率的影响。结果表明:初晶硅枝晶宽度随着锡含量的增加而增大,当合金铸锭中硅原子分数为31.86%、锡原子分数由0增至30%时,初晶硅平均枝晶宽度由490μm增大至710μm;较低硅含量合金铸锭中的初晶硅枝晶宽度较大,锡的添加对枝晶宽度的增大效果也更明显;初晶硅的回收率随着锡含量的增加而增大,当锡原子分数由0增至30%时,实际回收率由62%增至85%。

多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响

多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理。结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大。

多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响

多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅。通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理。结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致。多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大。

郴州地区解脲脲原体感染者耐药情况分析

目的:探讨泌尿生殖道解脲脲原体(Uu)对8种常用抗生素的耐药情况。方法:采用Uu培养、鉴定、药敏一体化试剂盒,对郴州地区2 710例泌尿道感染患者的泌尿生殖道分泌物进行Uu培养及药敏试验。结果:药敏试验表明,Uu对红霉素耐药率最高,达30.52%,其余依次为罗红霉素、阿奇霉素、克拉霉素、左氧氟沙星、司帕沙星、多西环素、米诺环素,耐药率分别为17.52%,14.10%,13.43%,6.97%,5.28%,3.95%,2.80%。结论:Uu对红霉素等多种抗生素高度耐药,治疗上应首选半合成四环素类,同时应规范临床经验性治疗用药,进一步加强对Uu菌株耐药变迁的监测。

冶金法制备太阳能级多晶硅研究现状及发展趋势

冶金法是我国走出硅原料依赖,发展低成本、环境友好的太阳能级多晶硅制备技术的必经之路,冶金法自诞生以来在世界范围内经历了三次研究高潮,第三次正是在以我国科研和产业工作者为主导和推动下发展的,并形成了大量有益的科学结论和实践经验。本文从冶金法的界定开始,详细分析了冶金法提纯的理论基础,饱和蒸汽压机理、偏析机理和氧化性差异机理,介绍了以上机理所衍生出的技术方法及进展,并对冶金法的发展前景进行了展望。

电子束熔炼Inconel 740合金不同热处理状态下的组织演变与显微硬度

利用电子束熔炼技术制备Inconel 740合金,研究热处理状态下合金的组织演变过程与显微硬度的分布情况,分析热处理过程中合金相析出规律与相分布特点。结果表明:合金宏观组织良好,夹杂物含量较少,晶粒尺寸在2mm左右。标准热处理后的组织主要为奥氏体,并有大量孪晶,晶界上碳化物M23C6呈连续分布,同时也有G相和η相析出。晶内析出大量球形、尺寸大小约为30nm的强化相γ′。电子束熔炼制备的Inconel 740合金在标准热处理状态下的显微硬度明显高于传统方法制备的同种合金,约高120HV0.1。

电子束技术在高温合金中的应用

作为近年发展起来的先进加工技术,电子束技术具有高能量密度、高真空度、可实现精确控制等优点,其在高温合金中的应用已受到广泛关注。本文对电子束技术在高温合金的制备以及加工领域的研究与应用进行了综述,包括高温合金的电子束成型制造、高温合金的电子束精炼、电子束焊接、表面改性以及高温合金的电子束物理气相沉积,指出了目前电子束技术面临的挑战,并对电子束技术在高温合金领域的发展前景进行了展望。

冶金提纯多晶硅用坩埚内壁氮化硅涂层的制备

选用四种溶液与不同含量的氮化硅粉体混合得到不同的悬浊液,在石英坩埚内壁制备了氮化硅涂层,并将其用于冶金法提纯多晶硅;用扫描电镜、电子探针等分析了多晶硅铸锭与坩埚内壁的粘连面积、铸锭表面微裂纹形貌和反应层厚度,得到与最佳多晶硅铸锭脱模相对应的制备涂层的工艺参数,同时分析了熔炼过程中氮化硅涂层与硅熔体间的反应机制。结果表明:将含质量分数为8%聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液和质量分数为60%氮化硅的悬浊液喷涂到坩埚内壁上,并经210℃×15min烧结后的氮化硅涂层不易分解,坩埚内壁保持完整,铸锭的脱模效果最好;随熔炼温度升高氮化硅涂层分解加剧,在涂层与硅铸锭的接触面处形成了由大颗粒氮化硅组成的连续层,减小了坩埚和涂层中杂质向硅铸锭内部扩散的可能性。

阿托伐他汀治疗短暂性脑缺血发作的疗效及对血脂指标的影响

目的:探讨阿托伐他汀治疗短暂性脑缺血发作(TIA)的疗效及对血脂指标的影响。方法:选择210例TIA患者作为研究对象,按照数字列表法随机分为两组,各105例,对照组患者采用常规治疗,观察组患者采用常规治疗的基础上加用阿托伐他汀,比较两组患者脑血管事件发生情况以及两组患者治疗前后高密度脂蛋白(HDL)、低密度脂蛋白(LDL)、甘油三酯(TG)及总胆固醇(TC)变化情况,并且观察服用阿托伐他汀不良反应情况。结果:观察组脑血管事件发生率为10.48%,明显低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);治疗后观察组HDL水平明显高于对照组,LDL、TG及TC的水平均明显低于对照组,差异均有统计学意义(P<0.05);两组患者治疗6个月均无不良反应发生。结论:阿托伐他汀可安全有效预防TIA患者脑血管事件的发生,改善血脂指标。

晶硅炉热场用碳材料在硅蒸汽中的腐蚀行为研究

对晶硅炉热场用三种碳材料(石墨、C/C复合材料、硬质碳毡)在不同腐蚀条件下进行了硅蒸汽腐蚀实验,研究了不同碳材料的硅化腐蚀行为。结果表明:三种材料的结构组成不同,导致三种碳材料在高温环境下与硅蒸汽发生硅化腐蚀的程度不同,硅蒸汽主要通过材料的孔洞以及缺陷扩散进入材料内部进行腐蚀,腐蚀造成材料表面产生大量的裂纹,并且会造成C/C复合材料以及硬质碳毡材料内部严重的破坏。材料中碳纤维的存在方式以及纤维强度对硅化腐蚀程度有较大影响,C/C复合材料中的腐蚀主要是碳基体和碳纤维的剥离以及碳纤维的缩颈、劈裂等;而由强度较差的短碳纤维为主要组成的硬质碳毡材料的腐蚀最严重,其内部碳纤维出现了明显的碎断、粉化。腐蚀参数对材料硅化腐蚀的程度具有较大影响,随着腐蚀温度的升高以及腐蚀时间的延长,三种碳材料的硅化腐蚀程度均增加。

烧结助剂添加方式对AlN陶瓷力学性能的影响

通过直接添加与原位生成两种方式引入Y_2O_3作为烧结助剂,热压烧结制备了AlN陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。结果表明:原位生成烧结助剂的方式更有利于AlN陶瓷的致密化,特别是当原位生成的Y_2O_3质量分数为2%时,AlN陶瓷的相对密度达到99.0%,硬度为15.39GPa,抗弯强度为383.0MPa,均高于直接添加Y_2O_3的;同时可获得晶形完整、第二相含量少且大部分位于三叉晶界、晶粒间面-面接触的显微结构;随着原位生成烧结助剂添加量的增多,陶瓷的相对密度下降,在AlN晶界处出现大量第二相而导致陶瓷的硬度、抗弯强度等力学性能也下降。

进展性缺血性卒中危险因素的临床分析

进展性缺血性卒中国内常指发病后48h内神经功能缺损症状逐渐或呈阶梯式加重的缺血性卒中，它是多种原因、多种机制共同参与的复杂状态。其致死率和远期致残率较高，故提高认识，早期预测及干预，可提高患者的生活质量，减少致残、致死率，降低医患纠纷。我们就我院收治的缺血性卒中患者资料结果进行分析，以探讨进展性卒中的相关危险因素。