PBII氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响

研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 膜，富硼的硼氮膜（ＢＮ０ ．５ ） 和硼膜（Ｂ） 的成分及结构的影响． 用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０ ．５ 和Ｂ 膜；然后使用等离子基离子注入（ＰＢＩＩ） 技术，在５０ ｋＶ 的基体脉冲负偏压下注入氮． 用ＦＴＩＲ 透射谱分析膜在氮离子注入前后结构的变化，用ＸＰＳ分析膜的成分分布． 结果表明：在ｃ－ ＢＮ 膜中注入氮离子几乎不改变膜的ＮＢ，但膜中ｃ－ ＢＮ 的含量略有增加；对于ＢＮ０ ．５ 膜，注入氮后，ＮＢ 略有提高，膜的ａ－ ＢＮ 的结晶化提高；而在硼膜中注入氮后，氮在膜中呈类似高斯分布，最高氮浓度ｒ（Ｎ）达２３ ％ ，膜中形成了非晶态的氮化硼（ａ－ ＢＮ） 结构． 此外，在以上各种膜上注入氮后，膜基界面都有不同程度的成分混合．