液晶显示器侧视角发红机理分析及改善

针对于液晶显示器出现的侧视角发红不良,本文从定性及定量角度进行机理分析。初步实验定性确定影响侧视角发红的主要因素为材料R_(th)和颜料颗粒分布。定量分析方面,通过对R_(th)、膜层厚度、上偏振片偏振方向与主观察方向的夹角(A-UPMO)、透过光主波长4个方面的分析,得到侧视角不良程度的理论计算公式。根据上述结论,通过减小R_(th),减薄膜层厚度以及缩小A-UPMO可以有效改善不良程度。给出通常情况下,新材料开发过程中Red/Green/Blue R_(th)的阈值分别为6.0nm/5.4nm/4.0nm,为未来新材料开发及不良改善提供有益的参考。

TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究

本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TFT的电学特性。建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低ITO成分的污染和提高产品的电学性能。

TFT有源层刻蚀均一性和电学性质的研究

对TFT制作工艺中,TFT有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT电学特性的均匀性得到优化。