硅绒面上电镀铜工艺对铜层的电学性能与均匀性的影响

为降低硅基太阳能电池的制造成本,提高其光电转换效率,采用电沉积的方法在硅绒面上制备铜金属层。通过调整电镀电流、阴阳极面积比和间距等参数,研究不同制备工艺对电极电阻率、表面形貌、相结构和厚度均匀性的影响。实验结果表明,电镀电流密度的大小对电镀铜层的表面形貌和相结构有显著影响,进而影响电阻率的大小。当电流密度为2.4 A/dm2时,电镀铜层的电阻率最低,表面致密光亮,且具有(111)的择优取向。铜镀层的厚度的均匀性受电镀阳极和阴极的面积比以及两者的间距的控制。当阳极与阴极面积比为3:1,间距为8 cm时,所得镀层的厚度均匀性最好。

电子束蒸镀纳米TiO_2薄膜结构、相组成及亲水性研究

利用电子束蒸镀技术在石英玻璃和单晶Si〈100〉上制备了纳米TiO2 薄膜,研究了衬底温度和退火温度对其结构、相组成和亲水性能的影响.结果表明,衬底温度为40-240℃时,石英玻璃上制备的薄膜为无定型TiO2,单晶Si〈100〉上制备的薄膜为弱结晶性的金红石TiO2,两类薄膜的亲水性均很差.退火温度显著影响薄膜的相组成及亲水性能.石英玻璃上不同衬底温度制备的TiO2 薄膜经550,650 ℃退火后均转变为锐钛矿TiO2,具有很好的亲水性能. 单晶Si〈100〉上不同衬底温度制备的TiO2 薄膜经550-950℃退火后,均由金红石和锐钛矿TiO2 混晶组成,且随退火温度升高,薄膜中锐钛矿TiO2 含量逐渐增加;随退火温度升高,衬底温度为40℃时制备的TiO2薄膜的亲水性能逐渐降低,而衬底温度为240 ℃时制备的TiO2 薄膜的亲水性能逐渐增强.

热针法瞬态测量热物性研究

该文从一维圆柱面传热模型的定解问题出发,分析热线法测量材料热导率的局限性,推证热针法瞬态测量材料热物性的基本原理、热扩散系数和热导率的计算公式,设计和开发针式热物性瞬态测量的软硬件,试制SHT-C针式热物性瞬态测量仪,实现对材料热物性的瞬态测量,并实测证明该测量仪有很好的重复性和实用价值。

基于TMS320F2812的数据采集及处理系统

数据采集及处理系统在众多领域均有广泛的应用，其主要功能是把外界模拟信号的电压参量经过A／D转换器，转换成数字量，并把转换结果存储以便分析处理。

基于Matlab和LabVIEW的混沌噪声发生器设计

混沌理论用于微弱信号检测领域近年来得到较快发展。实验室内研究,需要产生包括混沌噪声在内的各种噪声,并叠加微弱周期信号作为微弱信号检测系统的信号源。文中介绍基于Lab- VIEW平台并结合Matlab计算模块的混沌噪声发生器,可产生典型的3种混沌噪声:Logistic、 Duffing、Lorenz形式。该发生器将LabVIEW易于接口实现和Matlab计算精度高、编程简捷的特点相结合,并通过USB-6008模块外扩高速DAC芯片AD5405实现单通道信号噪声输出;具有结构清晰、通用性强、易于实现、使用方便的特点。

基于笼式结构的θ调制空间假彩色编码教具设计

空间频率域滤波是《信息光学》课程教学重点和难点。目前,未见国内有适合课堂教学的教具设计的报道。本文主要介绍基于笼式结构的空间频率域滤波设计,以白光源θ调制空间假彩色编码实验为例,采用单透镜实现傅里叶变换和成像,达到简化系统的目的。利用标量场衍射理论,推导单透镜空间滤波系统的基本原理,然后给出数值仿真和实验效果图。实验结果表明该系统能够较好的演示光栅频谱及空间滤波特性。该系统具有结构紧凑,体积小,重量轻,携带方便,成本低,演示效果好等特点。

一种新型低成本的单晶硅表面织构化方法的研究

为了增加单晶硅太阳电池的光谱吸收,提高太阳能电池的光电转换效率,用一种新型的腐蚀剂磷酸钠对单晶硅表面进行织构化研究,分析腐蚀液的浓度、反应时间、反应温度对制备单晶硅太阳能电池绒面的影响,并研究添加剂异丙醇(IPA)对磷酸钠(Na3PO4·12H2O)制绒效果的影响.当磷酸钠的浓度为13%wt,反应温度为85℃,反应时间为25min时能制备出金字塔大小均匀、覆盖致密的绒面,并在400-800nm光谱范围内获得最低反射率12.41%.适量的添加IPA有助于制绒效果的改善,可以使反射率更低.此制绒方法重复性好、价格低廉,是一种很有前景的制绒方法,可以进行大面积生产.

稀土离子掺杂钒酸铋纳米晶的制备、晶体结构特征及光谱性质

采用化学溶液法合成了不同稀土离子(Nd3+、Y3+、Eu3+)掺杂的BiVO4纳米晶。利用X射线衍射分析、扫描电子显微分析、能量色散X射线光谱、Fourier红外光谱、Raman光谱、紫外‒可见光漫反射光谱以及荧光光谱研究了样品的物相、晶体结构、成分、形貌、局部结构、表面化学和光谱性质。结果表明:不同离子掺杂的BiVO4样品尺寸处于纳米尺度,不同离子掺杂的BiVO4纳米晶具有四方相晶体结构,这些纳米晶呈现出清晰的轮廓及规则的形貌,表明得到的纳米晶具有较好的结晶性能,且表现出一定程度的晶格畸变。在247、367、763、855 cm−1附近出现的掺杂BiVO4纳米晶的拉曼峰,与四方相BiVO4结构的振动频率相吻合。紫外‒可见光漫反射光谱表明,随着掺杂离子的引入,BiVO4纳米晶样品内部电子结构发生了变化,BiVO4、Eu:BiVO4、Y:BiVO4和Nd:BiVO4纳米晶的禁带宽度,分别为2.50、2.74、2.90、2.94 eV,说明通过掺杂不同离子可以调控半导体纳米晶的禁带宽度。光致发光谱表明,Eu:BiVO4纳米晶的发光峰具有最低的强度,说明Eu:BiVO4纳米晶具有最低的电子空穴复合效率,暗示该纳米晶具有较高的光催化活性。Y:BiVO4纳米晶的发光峰强度最高,表明该半导体纳米晶的电子空穴复合效率最高。