在不同退火温度下射频磁控溅射CN_x膜的电子场发射性质

对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火,退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征.结果发现,沉积的CNx膜中氮原子与sp,sp2,sp3杂化碳原子相键合,并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究.

电压对纯钛微弧氧化膜生长特性的影响

在Na2CO3Na2SiO3溶液中,利用单极性脉冲微弧氧化电源在TA2基底上制备了二氧化钛氧化膜.研究了微弧氧化电压对氧化膜生长速率、相组成及表面形貌的影响.结果表明:随着电压的升高,氧化膜的生长速率先增加后减小,表面粗糙度和微孔尺寸逐渐增大,而微孔密度逐渐减小.膜层主要由锐钛矿和金红石相TiO2组成,随着电压的增加,膜层中锐钛矿相TiO2先增加后减少,而金红石相TiO2则逐渐增加并成为主晶相.

工作气压对TiO_2薄膜结构的影响

用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了TiO2薄膜,Raman光谱测量表明,工作气压从0.2Pa变化到2Pa时,TiO2薄膜的结构由金红石相变化到锐钛矿相,厚度对TiO2薄膜结构没有明显影响.

在二维坐标系下的一般经典哈密顿系统的正则变换和对应于它的量子幺正变换(英文)

讨论了与线形正则变换相关的二维一般哈密顿系统 .并利用幺正变换计算了变换后和变换前的薛定谔方程之间的关系 .

金刚石膜的拉曼光谱研究

研究了利用微波等离子体化学气相沉积方法制备的金刚石膜的拉曼光谱 ,讨论了金刚石膜中的非金刚石碳相与甲烷浓度、基板温度之间的关系 .

基于纠缠交换的三方量子安全直接通信

利用纠缠交换的方法提出实现三方安全直接通信的方案.在方案中,位于不同位置的3个合法的参与者通过使用Greenberger-Horne-Zeilinger(GHZ)态作为量子通道并执行Bell-State态测量实现了三方安全的直接通信.

s-d混合效应与s-d系统附加比热

根据ＡｎｄｅｒｓｏｎＭｏｄｅｌ定量地估计了稀磁合金中有磁解与非磁解的情况下ｓ－ｄ混合效应所引起的杂质电子与传导电子的附加比热．

电子-电子、电子-声子耦合对Grüneison常数的影响

根据文献［１］，定量地讨论了电子—声子耦合、电子—电子交换作用对Ｇｒüｎｅｉｓｏｎ常数的贡献．

Li_3N在低压合成BN中的作用

研究了B4C和NH4Cl在常压高温反应中Li3N的催化作用 .XRD测量结果表明 ,在N2和NH3气氛条件下 ,Li3N在反应过程中对h

电流密度对铝合金微弧氧化陶瓷膜显微硬度影响的研究

采用微弧氧化技术在铝合金上制备了陶瓷膜.借助于先进的结构和表征手段,系统地研究了阳极电流密度ja和阴/阳极电流密度比jc/ja对铝合金微弧氧化陶瓷膜显微硬度的影响,实验结果表明,对于不同的jc/ja,陶瓷膜的显微硬度都随ja的变化而出现一个峰值,且不同jc/ja的峰值大小(显微硬度)和对应的ja有所不同.当ja=15A/dm2,jc/ja=0.7时,所制备的陶瓷膜显微硬度最高为4300HV.SEM和抗点腐蚀研究表明,jc/ja对陶瓷膜的微观结构和耐腐蚀性能影响很大.

射频磁控溅射CN_x薄膜的结构与衬底温度关系的研究

使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 .Raman光谱结果表明 ,随衬底温度 ( ts)增加 ,D带向低频方向移动 ,G带向高频方向移动 ;它们的半高宽分别由 375和 1 5 0 cm- 1减小至 32 8和 1 4 2 cm- 1 ;ID/IG 由 3.76减小至 2 .88.FTIR谱中除无序 D带 ( 1 4 0 0 cm- 1 )和石墨 G带 ( 1 5 70 cm- 1 )外 ,还有～ 70 0 cm- 1 ,～ 2 2 1 0 cm- 1 ( C≡ N) ,2 330 cm- 1 ( C—O)及 3 2 5 5～ 335 1 cm- 1 ( N—H)等峰 .XPS测试结果表明 :随衬底温度增加 ,N与 C的物质的量比由 0 .4 9下降至 0 .38,sp2 ( C—N)组分与 sp3( C—N)组分强度比呈增大趋势 .低温 ( 35 0℃ )退火并未对CNx 膜的化学结合状态产生较大影响 ;高温 ( 90 0℃ )

石英管型MWPCVD法制备的纳米针状结构碳膜的场发射特性

利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si基板上制备了具有纳米针状结构的碳膜。场发射特性测试表明,纳米针状结构碳膜具有良好的场发射特性,阈值电场为2.2V/μm,外加电场为9V/μm时,电流密度达到65mA/cm2。利用统计效应修改了Fowler-Nordheim(F-N)模型,成功地解释了在低电场区域的场发射机理。但是利用修改的F-N模型,不能解释高电场区域的电流密度的饱和现象,这将有待于进一步研究。

N离子注入金刚石膜方法合成的CN_x膜的成键结构

使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)和一个弱的石墨峰 (G带 ,～ 1 550 cm- 1) .而 XPS N1s资料显示两个主峰分别位于～ 398.5e V和～ 40 0 .0 e V.金刚石膜经 60 ke V N离子注入后 ,N1s XPS光谱中的主峰位于～ 40 0 .0 e V;相应地 ,Raman光谱中的石墨峰变得较强 .通过比较 ,对注入样品的 XPS谱中 N1s的成键结构作如下归属 :～ 40 0 .0e V属于 sp2 C— N键 ;～ 398.5e V则属于 sp3C—N键 .

磁控溅射非晶CN_x薄膜的热稳定性研究

为了研究非晶CNx薄膜的热稳定性,采用射频磁控溅射方法沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900℃,利用FTIR,Raman和XPS谱探讨了高温退火对CNx薄膜化学成分及键合结构的影响.研究表明:CNx薄膜样品中N原子分别与sp、sp2和sp3杂化状态的C原子相结合,退火处理极大地影响了CN键合结构的稳定性;当退火温度低于600℃时,膜内N含量的损失较少,CNx薄膜的热稳定性较好,退火温度超过600℃时,将导致CNx膜中大多数C、N间的键合分离,造成N大量损失,膜的热稳定性下降;退火可促使膜内sp3型键向sp2型键转变,在膜中形成大量的sp2型C键,导致CNx膜的石墨化.

高功率准分子激光沉积类金刚石膜的热稳定性

在不同温度下 ( 2 0 0～ 80 0℃ )将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验 .利用 Raman和 XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化 .结果表明 ,类金刚石膜是由少量的 sp2 C键和大量的 sp3C键组成的非晶态碳膜 .在退火温度小于60 0℃范围内 ,类金刚石膜的热稳定性较好 ;退火温度高于 60 0℃时 ,类金刚石膜中的 sp3C键逐渐向 sp2 C键转变 ,当退火温度升到 80 0℃时 ,类金刚石膜中 sp3C键含量由退火前的大约 70 %下降到 40 % .可见 ,高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势 .

基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si(0.008~0.02Ω.m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相.在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大,阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小.基底偏压为-140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品,阈值电场低于8V/μm.F^N曲线表明,在外加电场的作用下,电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空.

阴/阳极电压对钛合金微弧氧化膜特性影响的研究

在Na2CO3-Na2SiO3溶液中,采用正负不对称交流微弧氧化电源在钛合金上制备出了多孔金红石TiO2薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分别研究了钛合金微弧氧化陶瓷膜的相组成和微观结构,实验结果表明,氧化膜主要由大量金红石和少量锐钛矿TiO2组成;膜表面布满了尺寸不到4μm的小孔,膜截面没有明显的疏松层和致密层之分.对微弧氧化样品在3.5%NaCl溶液中的抗点腐蚀测试表明,阴极峰值电压与样品的耐腐蚀性能密切相关,当阴、阳极峰值电压和处理时间分别为45、320V和30min所制备的钛合金微弧氧化样品其抗点腐蚀能力最强.

数字式电容测量电路

本文介绍一种由55,定时器集成电路和EPROM设计的数字式电容测量电路。此电路全部由数字电路组成,直接显示电容的数字量。

N离子注入非晶碳膜的CN成键研究

利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键合的变化及CN成键情况. 结果表明, 被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合, 形成sp3 CN, sp2 CN和C≡N键. 随着N离子注入剂量的增加, 膜内sp3 CN键的含量相对增多, 表明N离子注入更有利于sp3CN键的形成.

溅射于NiMnCo上的TiO_2薄膜的结构与相变

利用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了TiO2薄膜.X射线衍射结果表明,在NiMnCo合金基底上成功地沉积了具有金红石、金红石/锐钛矿和锐钛矿结构的TiO2薄膜,工作气压从0.2Pa变化到2Pa,TiO2薄膜的结构由金红石相变到锐钛矿相.低于600nm时,厚度对TiO2薄膜结构没有明显影响.