第三代半导体材料生长与器件应用的研究

着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向．总结了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的目前应用和未来的市场前景，指出了ＳｉＣ和ＧａＮ材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向．

电视逆程数据广播的原理与应用

详细介绍了电视逆程资源用于数据广播的原理与现状 ,探讨了电视逆程资源新的利用方式 ,计算了电视逆程进行数据广播的潜力 .利用电视逆程作为交互电视的先导 ,采用了一种简单的设计方案 ,满足了图文电视节目的视频点播 .

用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性

用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好．简单地讨论了ＰＭＣＺ法控氧优于普通ＭＣＺ法的机理．

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 金相显微镜法、扫描电子显微镜 (SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况 .发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同 ,体内存在着较高密度的氧微沉淀 .在晶体尾部 ,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集 ,出现了“组分过冷”现象 ,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长 .晶体中高密度氧的微沉淀经过 12 5 0℃热处理 1h后会溶解消失 .

锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响

利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺入到硅中的Ge对提高硅材料的综合性能是有益的．

ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究

提出了在碱性浆料中ULSI多层布线导体铜化学机械抛光的模型,对铜CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。

ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究

提出了在碱性浆料中 UL SI多层布线导体铜化学机械抛光的模型 ,对铜 CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。

三维TPC编解码器的仿真研究

对三维TPC(Turbo乘积码)编译码的算法及性能进行了仿真。TPC编码的3个子码都采用(16,11)的扩展汉明码,编码码率约为0.32,码字长度为4096。三维TPC译码采用基于Chase2算法的软输入/软输出迭代译码算法。利用matlab进行仿真,采用4次迭代,在AWGN信道中,Eb/NO为3dB时,误码率小于1×10-6。这种纠错方式适用于带宽宽,功率受限且传输性能要求高的通信系统中。

基于IP core的3/4 TPC编解码器的设计

基于XILINX公司的TPC IP core设计了码率为3/4的TPC编解码器。此3/4Turbo乘积码(Turbo productcode,TPC)编码是在码率为(64,57)×(64,57)的二维TPC编码的基础上截短得到的。该编码采用IEEE802.16和IEEE802.16a标准中规定的生成多项式。设计中采用了周期为220-1的二进制伪随机序列作为信源,利用AWGN IP core生成数字高斯白噪声,对3/4TPC的性能进行了测试。采用BPSK调制在Eb/N0为4.0dB时,测得的信道的误码率为2×10-6,信息速率可以达到49Mbps,与Matlab的仿真结果相比大约有0.2dB左右的误差。所有程序都在一片FPGA VirtexII2000中完成。

混沌信号在抗干扰测量应用中的数字化处理

描述了以Logistic混沌信号为例的混沌信号数字化处理方法。分析了混沌信号的频谱特性、自相关特性和模糊函数,并采用MATLAB对Logistic二维混沌映射信号的特性进行了仿真分析。说明了混沌信号的强抗干扰性及较高的距离速度分辨力适用于抗干扰测量系统。采用FPGA实现数字Logistic序列,并针对混沌序列的有限精度效应加入扰动,验证了生成序列的频谱及自相关为混沌特性。

利用装置环形永磁场的直拉炉(PMCZ)生长单晶硅和掺锗硅晶体

设计了一种永磁 (钕铁硼 )环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅 (PMCZ法 ) .磁力线呈水平辐射状均匀分布 .只要磁场强度足够强 ,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流 ,从而有效地抑制了固液界面处的温度波动 ,降低以至消除微观生长速率的起伏 ,造成了一种类似于空间微重力环境下生长晶体的条件 .在这种条件下 ,杂质和掺杂剂的运动方式受扩散规律控制 .利用这种装置生长了掺锗 (Ge∶ Si重量比为 1.0 % ,5 .0 %和 10 .0 % )和不掺锗的硅晶体 ,获得了氧浓度较低 ,掺杂剂径向分布均匀性好的较高质量的晶体 .该装置磁场强度可方便地通过调节磁环之间相对位置及磁环相对固液界面位置进行调控 。

电视逆程资源的应用原理

系统介绍了当前对电视逆程资源开发利用的几种形式的原理 ,并对电视逆程资源开发利用提出了进一步的分析。