电子束诱导的ITO薄膜多晶化研究

在对ｒｆ一溅射制得的掺ＳｎＯ２和Ｉｎ２Ｏ３薄膜（ＩＴＯ）的电性能进行测量时，发现样品的方块电阻（Ｒ□）经热处理后明显下降．为此我们用ＴＥＭ对薄膜的显微结构进行了动态观察，在观察的过程中随电子束的轰击发现有多晶化转变，即在电子束轰击后薄膜由主要以非晶态构成的结构变成了主要为平均晶粒尺寸约５０ｎｍ的多晶态结构．本文对这一薄膜显微结构的变化与其电性能之间的关系进行了详细地讨论．

纳米非晶氮化硅块体能态结构的紫外发射谱研究

用紫外荧光发射谱较系统地研究了纳米非晶氮化硅块体(粒径～10nm)的能态结构,观察到三个发射带,它们分别对应2.0、2.8和3.2eV.随热处理温度升高,峰高增大,低真空下1000℃退火又出现一个新峰,对应3.0eV.分析表明,2.0和3.2eV 发射峰与纳米非晶氮化硅高比例界面中 Si 悬键形成受主型和施主型局域态能级有关.能级2.0eV 和3.2eV 分别对应导带电子与受主型缺陷局域态空穴复合及施主型缺陷局域态电子及价带空穴复合,只有在高温(1000℃)退火才出现的3.0eV 发射带与O-Si-N 生成新的缺陷局域态有关.