液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性研究

基于液晶的电场调控特性及激光染料作为增益介质的增益模型,通过传输矩阵法理论研究了液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性。数值结果表明:随着垂直入射光和电场方向的夹角θ的增大,局域模波长向短波方向移动;当角度θ在(0°,90°)范围内变化时,局域模波长最大调控量达56.7nm;激光染料泵浦后不改变局域模的位置,但局域模的透射率变大了;随着增益系数的增大,局域模透射率先增大后减小,不同局域模对应不同的泵浦阈值,并且随着夹角θ的增大局域模对应的泵浦阈值将减小。

含磁流体一维Fibonacci结构局域模的磁控可调特性

应用传输矩阵法数值研究了含纳米磁流体一维Fibonacci准周期结构局域模的磁控可调特性.首先构建一维Fibonacci准周期结构磁流体光子晶体的物理模型,然后应用传输矩阵法,数值计算含纳米磁流体一维Fibonacci准周期结构的透射谱,最后讨论局域模的磁控可调特性.结果表明:局域模波长随磁流体折射率的增大向长波方向移动;随着含纳米磁流体一维Fibonacci准周期结构的代数的增加,其局域模的个数也随着增加,且局域模的品质因子也增大.

含液晶缺陷层Fibonacci结构局域模的电控可调特性

利用传输矩阵法研究含一向列相液晶缺陷层的一维Fibonacci第八代准周期结构局域模的电控可调特性.首先建立含一向列相液晶缺陷层的一维Fibonacci第八代准周期结构的物理模型;然后利用传输矩阵法数值计算该结构的透射谱,发现在禁带中存在局域模;最后讨论该局域模及其品质因子随外加电场方向与入射光方向间的夹角θ的变化关系.结果表明:局域模波长随夹角θ的增大而向短波方向移动,局域模的品质因子随夹角θ的减小而增大.