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大功率半导体技术现状及其进展
被引量:
12
1
作者
刘国友
王彦刚
+3 位作者
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
《机车电传动》
北大核心
2021年第5期1-11,共11页
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的...
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。
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关键词
功率半导体器件
硅材料
晶闸管
门极可关断晶闸管
集成门极换流晶闸管
绝缘栅双极晶体管
金属氧化物半导体场效应晶体管
宽禁带
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职称材料
题名
大功率半导体技术现状及其进展
被引量:
12
1
作者
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
丹尼克斯半导体有限公司功率半导体研发中心
出处
《机车电传动》
北大核心
2021年第5期1-11,共11页
文摘
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。
关键词
功率半导体器件
硅材料
晶闸管
门极可关断晶闸管
集成门极换流晶闸管
绝缘栅双极晶体管
金属氧化物半导体场效应晶体管
宽禁带
Keywords
power semiconductor device
Si material
thyristor
GTO
IGCT
IGBT
MOSFET
wide bandgap
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
操作
1
大功率半导体技术现状及其进展
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
《机车电传动》
北大核心
2021
12
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