晶闸管高温转折电压下降原因分析

晶闸管可靠工作温度范围在-45℃~125℃,晶闸管在低温时电压下降不明显,但在高工作温度时,很容易出现电压击穿的现象,本文针对晶闸管高温使用时转折电压下降的情况,分析原因,提出在晶闸管的制造工艺上,要加强扩散工艺的洁净度、采用硼磷吸收的方法提高少子寿命和减小高温漏电流,使结温时转折电压呈现雪崩型硬击穿特性,提高器件高温时耐压等级,可以使晶闸管在高温时可靠的工作,提高晶闸管的质量一致性等级,延长晶闸管的使用寿命。

如何在闸流晶体管生产工艺上制造合格的氧化层

在闸流晶体管制造工艺中,在镓扩散后通过氧化的方法形成二氧化硅保护层,做磷扩散的掩蔽膜,对该掩蔽膜的要求有一定的厚度和致密度,需要在理论上进行分析,工艺上进行控制及测量,并在出现质量问题后进行有效分析和解决。

论半导体器件芯片斜边处理和保护的方法

决定半导体分立器件电压高低,除了其内部结构参数以外,还取决于表面处理,减小表面电场,提高表面的耐压,使之高于体内耐压是一项非常重要的工作。这就是所谓的终端结构。因为单个器件总是要有外表面的,所以PN结在器件终端会与空气接触,如何将终端有效与空气隔离保护起来起来,是非常重要的问题。

晶闸管光刻的工艺原理分析

光刻工艺是一种复印图像同化学腐蚀相结合的技术。它先采用照相复印的方法,把光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的二氧化硅层或金属蒸发层上,然后利用光刻胶的保护作用,对二氧化硅或金属层进行选择性腐蚀,从而在二氧化硅或金属层上得到与光刻版相应的图形。

如何降低半导体器件通态压降

在半导体器件应用过程中,器件热击穿是造成失效的主要原因,而热击穿多数是由于器件压降较大造成的,这就需要在器件制造过程中,进行理论分析并采取合理的工艺方法,降低器件的压降,使器件在工作时发热量较小,提高器件工作的可靠性。

如何保证晶闸管放大门极真正起作用

晶闸管作为开关器件,开通时间是其非常重要的参数之一,而开通时间则取决于阴极面版图的阴极、门极的设计,为了获得更快的开通时间,就需要在设计上兼顾阴极过电流面积的基础上,增加门极导通面积,使晶闸管在中心门级进行一次触发后,能够迅速的进行大面积的二次触发,使晶闸管迅速的开通。