非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响

利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。

GexAsySe1-x-y硫系玻璃薄膜拉曼光谱分析

采用热蒸镀法，在石英基底上制备了不同化学组分的GexAsySe1-x-y硫系玻璃薄膜，并对其拉曼光谱进行测量，旨在分析化学组分对薄膜内部结构的影响。分析了波数位于100—350cm。范围内薄膜拉曼光谱的演变，用高斯曲线对拉曼光谱进行分峰拟合。结果表明，样品在190cm-1处Ge-Se振动模式随着Ge和As含量的增加而变强；随着平均配位数（McN）的增加，As-Se振动模式减弱，位于225cm-1和250cm-1处的两个拉曼峰逐渐合并，并向高波数区域延伸；在Ge含量高的样品中，170—180cm-1处的拉曼峰是由薄膜内部键缺陷造成的。