碳点在潜在指纹显影中的应用进展

碳点(CDs)是一种尺寸在10 nm以下的新型纳米材料,由于其独特的发光性能、低毒和环保等特点,在潜指纹检测中展现出了巨大的应用潜力。在潜指纹检测中,碳点的荧光特性可以帮助提高潜指纹的成像和识别能力。本文综述了碳点的合成方法、发光机理及其在潜指纹检测中的应用。通过合成方法优选、元素掺杂、前驱体调控、表面改性等手段可以调控碳点的荧光发射波长;再将碳点纳米粒子均匀分散在天然或常规材料上,所获得的碳点纳米复合材料可以避免因碳点纳米粒子聚集而引发的荧光淬灭现象,保留碳点的荧光性能,并且更适用于潜在指纹显现的常规操作。本文展望了在潜在指纹显影研究中碳点的未来发展方向,通过不断的改进和创新,期许为刑事科学技术领域的研究工作提供重要参考。

TiH_2在泡沫铝泡沫化过程中的分解过程研究

氢化钛是泡沫铝泡沫化过程中常用的发泡剂。实验室研究表明在700℃温度下,氢化钛在液体铝中的分解可以分为快速分解阶段(t<60 s)、减速分解阶段和剩余分解阶段(t>120 s),对应泡沫铝的体积增加分别为快速膨胀阶段、减速膨胀阶段和稳定阶段。结果为泡沫铝泡沫化过程的控制提供了依据。

水热辅助表面接枝印迹法制备Cd(Ⅱ)离子印迹硅胶及其性能研究

采用水热辅助表面接枝印迹技术,以Cd(Ⅱ)离子作为模板,巯基丙基三甲氧基硅烷为功能分子,环氧氯丙烷为交联剂,在硅胶表面制备出高容量的Cd(Ⅱ)离子印迹硅胶材料,利用红外光谱仪、扫描电镜、热重分析仪等进行了表征,采用平衡吸附法研究了印迹硅胶材料的吸附性能和选择识别能力。结果表明,印迹硅胶材料和非印迹硅胶材料的最大吸附量分别为42.5和22.1mg/g;印迹硅胶材料对Cd(Ⅱ)离子具有较强的选择识别能力,对Cd(Ⅱ)离子的吸附行为更符合Langmuir模型,20min即可达到吸附平衡,符合准二级动力学方程,pH值在4～8范围内,保持了较好的吸附容量;重复使用时性能较好。

升温速率对TiH_2热分解反应动力学的影响

利用程序升温热重法研究了TiH2的热分解动力学,考察了升温速率对热分析谱图的影响,并用单一升温速率法和多个升温速率组合法分别作了动力学分析.结果表明:反应的起始温度Tm,峰顶温度Tp均随着升温速率的升高而增大;两种计算方法得到的动力学参数有所不同,单一升温速率法计算出的E和A值遵循关系式:lnA=0.1449E-0.07604,即存在动力学补偿效应;多个升温速率组合法对E的计算,则依赖于升温速率的组合.

烟草商业企业卷烟营销数字化转型研究

随着数字经济时代来临,烟草商业企业数字化转型对实现其高质量发展具有重大的现实意义。文章分析了烟草商业企业数字化转型中存在的问题,并以此为基础,从思想理念、转型方向、营销生态和人才培育等重点关注的环节,提出了相应的应对举措。

基于迭代学习的直驱XY平台抗干扰复合控制

直驱XY平台在微电子封装领域有着广泛应用,针对扰动下难以实现XY平台高精密轨迹跟踪的问题,对双轴运动的轮廓误差模型以及抗扰控制机理进行研究,并提出了有效的控制方法。分析并建立了二维轨迹运动轮廓误差模型,在此基础上,单轴采用基于干扰观测器的双闭环前馈复合控制方式,轴间则利用迭代学习控制率构建基于轮廓误差的位置跟踪控制器进行协调控制。仿真结果表明,相比传统的PID控制,加入干扰观测器的双闭环前馈复合控制能实现更高的位置跟踪精度,且具有更好的抗干扰能力;经过1次迭代学习过程后,最大轮廓误差降低到2~3μm,充分满足高精度XY平台轨迹运动的要求。

基于系统辨识与变步长标定的调高器复合控制

电容调高器工作时,电容-编码器值标定表的拟合度极大地影响了位置闭环控制的质量,同时,凭经验对控制器参数进行调整费时费力,效果也往往不是最优的。针对以上两个问题,对传统均匀步长标定法进行改进,提出了变步长标定法,根据电容值变化幅度大小自行分配标定点数;其次,结合系统辨识和零极点配置的方法对调高器控制系统的数学模型进行研究,在此基础上寻求匹配度最优的PID参数,并和前馈构成复合控制。结果表明,变步长标定法能得到拟合度更高的标定曲线,在反馈+前馈的复合控制下,调高器在0~1 mm的跟随高度中达到了5μm的定位精度,实现了激光切割头的快速定位和高精度控制。

面向IC封装的龙门运动平台同步控制算法

基于永磁直线电机(PMLM)的龙门式运动平台广泛应用于芯片封装领域,但由于两PMLM间存在横梁机械耦合,因此较难实现系统的快速响应和精准同步。以龙门运动平台为研究对象,设计三环闭合控制回路后,提出一种基于模糊前馈的控制策略,同时辅以交叉耦合同步控制器,实现系统的快速同步性能。对传统PID同步控制和基于模糊前馈的同步控制算法进行对比分析,仿真结果表明:模糊前馈控制阶跃响应的上升时间为48.5 ms,比传统PID控制缩短了65%;交叉耦合同步算法在保证定位精度的同时,使得系统具有良好的同步跟随性能和较强的抗干扰能力,基本满足芯片封装高速高精度的要求。