CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器

本文报道了CaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器,给出了增益区和吸收区分别注入电流时的三端器件结构。并在脉冲工作下得到了双稳特性。

InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的纵模及偏振特性

本文给出了InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的模式特性。通过实验得到对双稳态激光器来说其吸收区的存在,使其对偏振及纵模的选择有一定的作用,使得TM模的输出强度在总输出中占的比例更小,及在双稳区内给出单纵模输出。

硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１×１０１２到１×１０１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布．硼注入Ｎ型ＩｎＰ后形成高阻绝缘层，其电阻率随退火温度变化出现两个峰值．本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理．

企业的科学发展是构建社会主义和谐社会的基础

文章认为,企业走循环经济之路,是缓解资源制约,减轻环境污染,实施低成本扩张,促进科技进步的有效途径;同时也是落实科学发展观的具体实践;是构建和谐社会的坚实基础。