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PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用 被引量:2
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作者 曾天亮 陈平 +1 位作者 江志庚 李志彭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期386-390,共5页
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以... 我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3%)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用. 展开更多
关键词 SiON膜 PECVD沉积 双层互连工艺
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BPSG膜的沉积、性质及其应用 被引量:2
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作者 曾天亮 陈平 +1 位作者 江志庚 李志彭 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第2期12-15,共4页
本文介绍BPSG膜的沉积、性质及采用BPSG膜作回流介质层和表面钝化层.实验结果证明,在提高器件的可靠性、稳定性和成品率等方面BPSG膜均优于PSG膜.
关键词 BPSG膜 半导体薄膜
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重掺砷衬底外延工艺研究 被引量:2
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作者 高翔 程秀兰 李志彭 《电子与封装》 2008年第12期7-9,共3页
在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适... 在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适当增加外延生长速率、降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响。结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化,可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量。 展开更多
关键词 外延 固态外扩散 自掺杂 多晶硅背封 二步外延
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构建中职机械基础教学有效课堂的途径 被引量:1
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作者 李志彭 《现代农村科技》 2014年第24期65-65,共1页
机械基础是中职学校的一门专业基础课,由于素质、认知等各方面的原因,很多学生对这门课的学习有较大困难。因此,教师要在课堂教学中利用恰当的方法,创设和谐的教学氛围,充分激发学生的主动性、积极性,提高课堂教学的有效性。
关键词 中职 机械基础 有效课堂 教学
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沙漠地区输电线路工程勘察中静力触探的应用
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作者 李志彭 《区域治理》 2019年第9期252-253,共2页
对于沙漠区输电工程勘察,场地搬迁、钻探用水、砂层垮孔护壁等困难,造成常规钻探耗时耗力且无法准确划分地层,选择合适的勘察手段不仅能节省勘察费用,缩短工期,更能准确反映地层空间分布及各项物理力学指标.静力触探勘察具有不需用水,... 对于沙漠区输电工程勘察,场地搬迁、钻探用水、砂层垮孔护壁等困难,造成常规钻探耗时耗力且无法准确划分地层,选择合适的勘察手段不仅能节省勘察费用,缩短工期,更能准确反映地层空间分布及各项物理力学指标.静力触探勘察具有不需用水,不用护壁,不扰动地层等特点.结合沙漠区地形地貌地层岩性等特点采用静力触探解决岩土工程问题. 展开更多
关键词 岩土工程 原位测试 静力触探
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基于WiFi视频监控系统的物联网机器人的研究 被引量:1
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作者 张昭 张清 李志彭 《时代农机》 2018年第10期242-242,共1页
本设计通过上位机等常见通信工具并利用无线通信完成对机器人的运动控制,图像采集由多路摄像头实现,信息传输可采用WiFi或其他无线多路通信技术,建立上位机和机器人之间的通信信道以及完成上位机实时多路视频监控、小车之间通信协议的... 本设计通过上位机等常见通信工具并利用无线通信完成对机器人的运动控制,图像采集由多路摄像头实现,信息传输可采用WiFi或其他无线多路通信技术,建立上位机和机器人之间的通信信道以及完成上位机实时多路视频监控、小车之间通信协议的设计。 展开更多
关键词 WI-FI 视频监控 物联网 机器人
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钝化膜热诱发应力的产生及其消除法
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作者 曾天亮 李志彭 《上海半导体》 1994年第1期27-28,43,共3页
关键词 半导体器件 钝化膜 应力 消除法
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PECVD SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用 被引量:5
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作者 祖继锋 耿完桢 +4 位作者 洪晶 余宽豪 江志庚 李志彭 陈学良 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期913-916,共4页
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)氢氧化硅(SiON)薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路(VLSI)光互连中的潜在应用。
关键词 光互连 化学气相淀积 氮氧化硅 薄膜
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永州(新田)泥灰岩短期暴露条件下劣化特性及机理的探讨
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作者 郭义 周政 +1 位作者 廖爱平 李志彭 《勘察科学技术》 2016年第S1期24-26,共3页
针对目前泥灰岩短期暴露条件下劣化机理的研究较少,该文以永州(新田)泥灰岩为例,提出泥灰岩短期暴露劣化的试验研究方法。岩石遭受一回次的"干燥脱水-吸水饱和-干燥脱水",观察得出泥灰岩短期暴露条件下岩体具有急剧劣化的特... 针对目前泥灰岩短期暴露条件下劣化机理的研究较少,该文以永州(新田)泥灰岩为例,提出泥灰岩短期暴露劣化的试验研究方法。岩石遭受一回次的"干燥脱水-吸水饱和-干燥脱水",观察得出泥灰岩短期暴露条件下岩体具有急剧劣化的特性。以泥灰岩的物质成分为基础,结合其微观结构,总结出泥灰岩短期暴露条件下的劣化机理如下:"失水-饱水-失水"过程中泥灰岩亲水性黏土矿物被突发激活,吸水膨胀、失水收缩产生的膨胀压力、收缩拉力,使岩石微观组织遭受急剧的拉压不平衡,当其超过微观组织的抗拉(抗压)强度时微观裂隙产生,微观裂纹的急剧扩展、联合形成宏观裂纹。 展开更多
关键词 泥灰岩 短期暴露 物质成分 微观结构 劣化机理
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