电容传感芯片外部坏点的成因与控制

外部坏点造成的不良是电容传感芯片制造过程中良率损失的主要来源之一。由于庞大的市场需求和日趋激烈的竞争,有必要进一步提升产品良率。从电容传感的原理出发,阐释外部坏点与产品实际物理结构之间的联系;按照失效分析的思路介绍了大粒径塑封填料颗粒异常混入、小粒径填料颗粒异常聚集和塑封料基体树脂异常聚集3类造成电容传感芯片外部坏点的典型成因;并借助有效介质理论归纳了相应的物理模型,给出大颗粒或聚集体临界尺寸的计算方法。在此基础上,依据外部坏点的物理表现和临界尺寸的计算结果,从塑封原材料的生产和塑封料的来料检验角度,分别提出了管控方案。根据实施方案前后同型号产品多批次因外部坏点导致的不良品扣料监控数据分析,几类措施均能有针对性地提升产品良率。

薄型塑封芯片钝化层损伤的失效分析与改进

针对某薄型塑封产品试制中出现的开、短路问题,通过表面研磨、截面剖切、能谱分析等失效分析手段,确认了塑封料内无机填料颗粒损伤芯片钝化层的缺陷模式。从塑封材料的使用管控、塑封工艺参数改进及塑封料选型等角度对钝化层损伤问题进行了分析与验证。结果表明,合模压力的施加过程是影响芯片钝化层损伤的关键因素,采用215 kN的1段式合模压力设定可有效改善该缺陷,对薄型封装的塑封参数设定及材料选型提供了参考建议。

单晶硅/锗薄膜材料的转移技术及柔性器件应用

单晶硅/锗材料是当今半导体工业的基石.当厚度缩小到纳米尺寸量级时,这些材料的薄膜在力学、光学、电学、热学等领域均展现出显著区别于体材料的独特性质与应用.超薄的厚度使单晶硅/锗纳米薄膜在获取可以媲美有机半导体材料的柔性特征的同时,仍保持远高于有机材料的迁移率特性.以上性质使硅/锗纳米薄膜成为高性能柔性电子器件的理想构筑单元,在物联网、可植入/可穿戴电子器件、仿生电子器件等诸多领域表现出非常广阔的应用前景.本文通过"先转移单晶硅/锗纳米薄膜,后搭建器件"以及"先制备单晶硅/锗纳米薄膜器件,后转移整体"两个角度,深入探讨了不同转移策略的特点,以及在柔性器件中的应用;阐述了当前该领域最新研究进展及需要重点解决的科学问题与技术难点.