扫描电子显微镜与扫描隧道显微镜联用装置

在ＫＹＫＹ－１０００Ｂ型扫描电子显微镜（ＳＥＭ）上所开发的与其联用的袖珍型扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）主要有四个部分：（１）减震阻尼装置，（２）隧道探针，（３）探针扫描与逼近装置，（４）电子控制与图象采集系统。它的分辨率约为１ｎｍ。并用它观察了半导体光栅与硅上金膜的细微结构。

高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量

对水热法生长的高阻ZnO单晶在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80～400K的温度范围内,测出多达13个深能级,热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光的温度谱有很大差别,呈互补行为,可能是非平衡载流子在不同的温度下其寿命不同所致。

一种简单的小尺寸低电压大范围平面扫描的STM扫描器

在普通的STM中,X,Y的扫描大都采用单压电陶瓷管扫描器。为了获得大的扫描范围。一般是将扫描管加长或提高扫描电压。但它要带来几个问题:扫描管太长,就得增大STM的尺寸,势必使它的刚性下降。扫描管是一个整体,X与Y的扫描互相牵扯,即使增大电压,扫描范围不可能作得很大。另外,针尖的扫描面为一球面而不是平面。为此,我们制作了一种简单的小尺寸低电压大范围平面扫描的压电陶瓷双晶片扫描器,基本克服了上述的困难。它是由两个8×25×1mm^3的长条形双晶片互相垂直呈L形固定在一个三角形的基座上。同时也将厚度约0.2mm。

一种简易的4.2K低温样品架及其应用

利用聚四氟乙烯管与不锈钢波纹管组成的具有同轴结构的低温样品架,在扫描电镜中,能作三维自由移动。在流动液氦的冷却下,一分多钟的时间内即可由室温降到4.2K。在6K时,液氦的消耗量为1升/小时。已成功地用于半导体的低温阴极荧光与束感生电流的测量。

电子扫描深能级瞬态谱（SDLTS）测量系统及其应用

本文报导了在ＪＸＡ—３Ａ电子探针上，研制了电子束感生电流装置、电子束消隐装置、可微动低温样品台以及超慢速电子来扫描装置，配置Ｂｏｘｃａｒ平均器。成功地开发了电子束扫描深能级瞬态谱测量系统，它的温度范围为８０—４５０Ｋ，空间分辨率约１０μｍ，测量稳定度为１．５％。对ＧａＡｓ和Ｓｉ中的深能级及其空间分布进行了测量，并与其结构缺陷进行了对比研究。

日粮中漆树粉水平对解冻牛肉肉色和氧化稳定性的影响

选用12头体重相近的健康韩牛,研究了不同水平漆树粉对解冻牛肉肉色和氧化稳性的影响。将试验牛随机分为对照组和添加2%、4%、6%漆树粉组。试验结果表明,添加漆树粉组的TBARS值和VBN值显著低于对照组(P<0.05),各添加组间,4%漆树粉添加组效果最佳,可显著抑制贮藏过程中牛内的氧化,稳定牛肉的颜色。

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．

一种纳米分辨率近场光学显微镜——光子扫描隧道显微镜

报导了我们研制的一台光子扫描隧道显微镜。论述了原理，结构，光纤探针制造，信号放大以及调试中解决的几个技术问题等。图像的横向分辨率优于１０ｎｍ，纵向分辨率约１ｎｍ，扫描范围１０μｍ×１０μｍ。还观察了云母。

MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

纳米级分辨的光子扫描隧道显微镜的应用研究

本文对光子扫描隧道显微镜（ＰＳＴＭ）显微成像机理、成像规律做了较为系统的论述，针对具体的物理模型进行数值模拟计算，得到了与实际探测相一致的场分布规律。采用自行研制的ＰＳＴＭ的显微实验系统对多种样品进行了表面显微成像研究，获得了关于样品表面三维立体图像信息。通过多种图像处理手段对原始图像进行后期处理，得到了更具视觉效果、更为逼真的样品表面图像，为其广泛的应用奠定了技术基础。

半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.

光子扫描隧道显微镜（PSTM）的研制及样品的显微成像研究

光子扫描隧道显微镜（ＰＳＴＭ）的研制及样品的显微成像研究郭宁，吴世法，夏德宽，初世超，徐绍华（大连理工大学，大连１１６０２３）高崧，姚骏恩，商广义，贺节，李成基（中国科学院科仪中心电镜室，北京１０００８０）光子扫描遂道显微镜（ＰＳＴＭ）是继１９８６年...

MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统晶格失配的研究

本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚度t_(?)～2μm的情况下,获得范性应变临界组份x_c=0.114.当x<x_c时,外延层生长方向应变(?)_1⊥与x成线性关系;当x>x_c时,外延层出现范性形变.

基于微粒群算法和BP网络的结构损伤识别

提出了基于BP网络的结构损伤识别方法,同时引入了微粒群算法对BP网络权值和阀值进行优化,建立了完整模型和损伤模型,进行了仿真,经检测样本证明,微粒群算法优化后的BP网络能很好的识别出结构损伤的位置和程度,是一种快速、有效的结构损伤识别方法。

国外纺织器材的现状和发展趋势

本文首先从材料、工艺、设备等方面概述了纺织器材的现状和发展;其次,对国外主要纺织器材针布、胶圈胶辊、钢领钢丝圈、纱管、带类器材、梭子及其配件、筘综片、织针、自动打结器、捻接器、槽筒、镍网、剑杆头带等分项叙述和评论;最后,指出国外纺织器材先进之处,供发展我国纺织器材借鉴。

ZnWO_4和掺杂ZnWO_4光谱及衰减时间的研究

采用阴极射线激发和紫外激发研究了ZnWO_4和各种不同掺杂ZnWO_4晶体常温下的激发谱和发射谱,并用单光子计数法测量其衰减时间。得到的激发谱存在4个峰值,计算机解谱得到发射谱主要包含3个发射带。这表明纯ZnWO_4和各种掺杂ZnWO_4晶体有类似的激发谱和发射谱,掺杂只改变峰值位置及各峰的相对强度,还可能增加衰减时间中的快成分。

高阻GaN薄膜电阻率测量

建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.

MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料

采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.22',证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量.变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6×108Ω·cm,250℃下的电阻率约为106Ω·cm.

掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究

本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间.

太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测

本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te-GaAs有明显的杂质条纹,而在太空生长的晶体杂质条纹消失;在太空和地面生长的交界处于空间材料一侧的中心部位,存在一个大约5μm宽的高完整区.远离中心部位,空间材料的完整性降低,出现了大量位错并伴有微缺陷.实验结果表明:在微重力条件下生长化合物半导体GaAs对在其中的杂质均匀分布有利.在太生长时出现的大量位错和微缺陷,并不是在生长时由于失重所致,而是在太空生长时温度失控所引起的.