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高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 被引量：2
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作者 罗卫军 陈晓娟 +5 位作者 李成瞻 刘新宇 和致经 魏珂 梁晓新 王晓亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1981-1983,共3页
在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压>... 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压>80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 微波功率 功率增益
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