用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO_2薄膜

利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的,γ-LiAlO2薄膜. X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成.此薄膜经850-900℃／120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向.这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底.

高度c轴取向的ZnO膜的低温水热法制备

在预先镀有ZnO纳米层的(0001)蓝宝石衬底上利用低温水热法制备出ZnO薄膜。SEM和XRD显示此ZnO膜是由六棱柱状阵列构成的,基于蓝宝石衬底生长,具有高度的c轴择优取向,且(0004)摇摆曲线的FWHM达到1.8°。并发现了在水热溶液中加入一定量六次甲基四胺可以调节六棱柱状ZnO尺寸比例。

温梯法自宝石晶体的缺陷研究

采用导向温梯法(TGT)生长出[0001]方向直径为76mm的白宝石晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)观察晶体(0001)面的腐蚀坑形态,并对晶体内部的包裹物进行了能谱(EDS)分析。白宝石晶体中的生长缺陷主要为位错和包裹体等。Al_2O_3晶体(0001)面的位错腐蚀坑呈六角形,并且有台阶状结构。分析了(0001)面内的位错类型。确定了TGT法生长的白宝石内部的包裹物的主要成分为碳。

Yb∶YAG晶体的晶胞参量及Yb^(3+)分凝系数的研究

应用提拉法生长出不同Yb3+ 浓度的Yb3xY3( 1-x) Al5O12 晶体 Yb3+ 离子的分凝系数 1是 1 .0 8±0 .0 1 ,与Yb3+ 离子掺杂浓度无关 研究了Yb3xY3( 1-x) Al5O12 晶体的晶胞参量 ,推导出联系晶胞参量、密度与Yb3+

水浴条件下YAG倍频激光切割Si片的实验研究

用Nd∶YAG固体倍频激光器在水中对Si片进行微刻蚀比在空气中产生的飞溅物少。对两种条件下的刻蚀速率、刻槽表面形貌进行了比较。实验结果得到最窄的刻缝宽度小于 5 0 μm ,表面不平整度小于 5 μm 。

表面处理对蓝宝石衬底的影响

蓝宝石衬底是目前最为普遍的一种衬底材料,是生长GaN、ZnO材料最常用的衬底。本文用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)和高分辨X射线双晶洐射对蓝宝石衬底进行了分析测试,系统研究了经过机械抛光、化学机械抛光、化学腐蚀等表面处理对蓝宝石衬底表面性能的影响。结果表明经过化学机械抛光随后再经腐蚀后的蓝宝石衬底的表面性能最好。

γ-LiAlO_2晶体的退火研究

利用温度梯度法生长出了透明的γ LiAlO2 单晶 ,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的 ( 0 0 1 )晶片表面结构的影响。结果表明 :1 1 0 0℃ / 70h空气和真空中的退火处理使γ LiAlO2 晶片表层变成LiAl5O8多晶 ,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发 。

a面白宝石单晶的温度梯度法生长及缺陷的研究

用温度梯度法 (TGT)生长出了高质量的a面 (11 2 0 )白宝石单晶。通过化学腐蚀和光学显微镜研究了晶体内部的位错分布及其密度的大小 。

γ-LiAlO_2晶体生长挥发和腐蚀研究

本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ LiAlO2 晶体 ,借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程 ,坩埚中晶体上部为LiAl5O8和LiAlO2 多晶体 ,中部 [10 0 ]方向自由结晶形成了单一透明的γ LiAlO2 晶体 ,下部为钼金属颗粒 ,蓝宝石籽晶被严重污染 ;坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2

r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因。

用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究

LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.

水浴条件下YAG倍频、三倍频激光切割Si片比较

对Nd∶YAG固体激光器倍频、三倍频激光输出在空气和水浴环境下刻蚀Si片进行了研究,分析了刻蚀速率和样品表面形貌,得出了在355nm刻蚀波长下,水浴环境中,刻蚀速率最快,刻槽宽度最小,小于10μm的实验结论。

温梯法白宝石晶体的表面形貌研究

本文采用导向温梯法 (TGT)生长 [0 0 0 1 ]方向的白宝石晶体 ,利用气相传输平衡 (VTE)技术对晶体表面进行处理 ,发现双面抛光的C面白宝石晶片高温下与富锂 (Li2 O蒸气 )气氛发生反应 ,表面生成一层γ LiAlO2 ,随着VTE反应温度从 75 0℃下降到 730℃ ,γ LiAlO2 晶核的颗粒也随着减小 ,在 730℃时已在 1 μm以下 ,经稀盐酸 (HCl)腐蚀后形成多孔的表面 。

VTE法制备γ-LiAlO_2/α-Al_2O_3复合衬底以及腐蚀和退火对其影响

通过气相传输平衡法(VTE)制备了γLiAlO2 /αAl2O3 复合衬底,使用5%的稀盐酸对其进行腐蚀并在900℃退火72h。利用X射线衍射、偏光显微镜及扫描电镜对复合衬底进行了分析,发现在白宝石a面(11 20)和γ面(1 102)均获得单相多晶的γLiAlO2,且后者的择优取向好于前者。腐蚀可以提高样品的择优取向,在5%的稀盐酸中,时间控制在2min左右可获得较好的结果。退火后γLiAlO2 颗粒质量得到改善,白宝石a面上γLiAlO2 的质量优于r面上的γLiAlO,两者都出现颗粒长大现象。

c面白宝石衬底表面形貌对气相传输平衡法制备的γ-LiAlO_2层质量的影响(英文)

采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相-γL iA lO2层。研究了白宝石衬底表面形貌对-γL iA lO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响-γL iA lO2层质量的重要因素。要制备高质量的-γL iA lO2层,适度的表面粗糙度是恰当的。对白宝石衬底进行退火处理,-γL iA lO2层的择优取向变差。并对其中可能的机理进行了探讨。

NiFeMnO4系列热敏电阻的溶胶-凝胶制备技术研究

用溶胶-凝胶（Sol-gel）技术以及柠檬酸自燃方法制备了NiMn2.0-xFexO4（x=0、0．1、0．15、0．2、0．3）纳米氧化物粉体，并将得到的超细粉体进行压片、烧结、封装等工艺制得热敏电阻。用XRD、SEM、电阻测量等手段表征了烧结体材料的晶相、微观形貌以及电阻性能。电阻测量结果表明：随着铁离子的增加，所得热敏电阻的阻值增大。在所有获得的材料中，其灵敏度B值大于4300K，可认为是一种具有实际应用价值的负系数热敏电阻。

NTC热敏电阻的溶胶-凝胶法工艺制备技术研究及其应用

本文对NTC热敏电阻材料的各种制备方法以及特点给予了评述，特别详细介绍了溶腔-凝胶方法在热敏电阻制备技术上的应用。并介绍了应用SEM（Scanning electron microscopy，SEM）与电阻测试等方法研究材料的晶粒大小、形貌特征及材料电阻的实验手段。从目前的大量工作表明溶胶-凝胶技术制备热敏电阻具有高效和实用开发价值。

大功率LED脉冲驱动电源技术的研究

基于脉宽调制电路(PWM)原理,研究设计大电流小占空比驱动大功率LED直流脉冲电源,实验测试比较了不同占空比脉冲方式下,点亮LED的实际消耗功率、瞬态光亮强度、温升情况等,探索通过脉冲电源驱动提高LED发光效率的实现方案,并取得初步实验结果。

OLED照明模组的光电衰减特性研究

通常,OLED照明模组是通过简单的将OLED色块串联后并联的方式实现,但是通过对其光电衰减特性的研究发现,这种照明模组容易出现温度不均匀、亮度不均匀和颜色不均匀等问题。这主要是由于各并联OLED模组之间的电流大小不一致所造成。此外,OLED照明模组的温度分布与其光色衰减特性之间是有关联性的,例如温度较高区域的亮度相对较高,且色度也会出现较大的偏移,从而加速了OLED色块的衰减。如果整体温差过大,比如30℃以上,甚至会出现黑斑、击穿、分层、碎裂等不可恢复的影响。

液晶电视用LED背光源的热特性与光色特性之间的关系

本文研究了温度对LED背光源的影响,发现温度高的地方,LED的亮度衰减较快,且红、绿、蓝三色LED亮度的衰减速度是不一致的,其中红光LED衰减最快,导致LED背光源的色度偏移,色温均匀性变差,严重影响背光源的颜色表现能力。此外,通过对直下式LED背光源的热分布与其亮度和色温变化情况的研究,发现温度较高的地方,亮度衰减得快,色温也上升得快;而侧光式LED背光源的光色分布主要受到导光板的影响,所以不能直观地观察到其与热分布的关联性。