SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题

扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等。

等离子体微细加工技术的新进展

在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。

氮化镓基固态器件的研究进展

ＧａＮ是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料，具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度。本文着重阐述了宽禁带Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的研究进展。

谐振隧穿晶体管数字单片集成电路

阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单/双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路,它们具有高频高速、低功耗、多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等显著优势,将是数字集成电路后续小型化最有希望的代表。指出材料生长和芯片工艺制作等问题是其实现工业化生产的瓶颈。综述了国内外在该领域的研究现状和发展趋势,特别是美国已经有高水平的谐振隧穿晶体管数字单片电路问世,我国正在开展少量的研究工作。

AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)

从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。

GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术

综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜下观察窗口平整干净、作迁移率测试等与湿法腐蚀的片子相比较没有看出差别 ,适宜用于器件工艺。

平面掺杂异质结场效应管的二维电子气浓度和材料结构尺寸之间的关系

本文对场效应管所用材料的隔离层，δ调制掺杂层，势垒耗尽层等材料结构尺寸，异质结界面的二维电子气浓度，场效应管的夹断电压，沟道电流等以及它们之间的关系进行了计算分析，可作为材料和器件结构设计的依据．

HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系

给出了ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的数学－物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流之间的相互关系。

量子限制器件

叙述了量子阱、量子点、调谐隧穿二极管、单极隧穿晶体管和双极隧穿晶体管的结构框图、电学原理和工艺途径。

新型大孔吸附剂——H系列吸附树脂的合成和应用

自六十年代以来,随着大孔离子交换树脂的问世,大孔吸附树脂也得到了很快的发展。美国罗姆哈斯公司生产的Amberlite XAD系列和日本三菱化成公司生产的Diaion HP系列吸附树脂在许多领域得到广泛的应用,特别有效地应用于发酵液中抗菌素和生物活性物质的提取(如头孢菌素的提取)和脱色。我国现在研制生产的吸附树脂大多是以二乙烯苯为交联剂的苯乙烯、丙烯酸甲酯或丙烯腈与二乙烯苯的大孔共聚物,具有较高的比表面积和孔穴率,在脱色、分离、色谱和药物提取上也取得较好的应用效果。

基于LabVIEW的PID控制在硫化仪中的应用

以PID控制理论为基础,采用LabVIEW和PID Toolkit作为开发平台,设计并实现了一套橡胶硫化仪测控系统。该系统通过下位机采集温度数据,并由上位机软件对采集的信号进行分析处理,使当前温度值逼近设定值,从而实现对温度的控制。调试结果表明,该系统具有界面友好、测量精度高、安全可靠、易于操作等特点。

饮食连续护理在2型糖尿病患者中的应用效果

目的:观察饮食连续护理在2型糖尿病患者中的应用效果。方法:回顾性分析2020年5月至2022年5月该院收治的60例2型糖尿病患者的临床资料,按照护理方法不同将其分为对照组和观察组各30例。对照组实施常规护理,观察组在对照组基础上实施饮食连续护理,两组均连续护理1个月。比较两组饮食依从率、护理前后血糖指标[空腹血糖(FBG)、餐后2 h血糖(2hPG)、糖化血红蛋白(HbA1c)]水平、并发症发生率及护理满意度。结果:观察组饮食依从率为93.33%(28/30),高于对照组的73.33%(22/30),差异有统计学意义(P<0.05);护理后,观察组FBG、2hPG、HbA1c水平均低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);观察组并发症发生率为6.67%(2/30),低于对照组的30.00%(9/30),差异有统计学意义(P<0.05);观察组护理满意度为96.67%(29/30),高于对照组的73.33%(22/30),差异有统计学意义(P<0.05)。结论:在常规护理基础上实施饮食连续护理可提高2型糖尿病患者饮食依从率和护理满意度,降低血糖指标水平和并发症发生率,效果优于常规护理。

硫钝化GaAs MESFET的机理研究

研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。

Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT

利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.

交联聚苯乙烯重氮盐的制备及其应用于偶合反应

通过大孔苯乙烯-二乙烯苯共聚体的硝化、还原和重氮化反应制得的交联聚苯乙烯重氮盐分别同取代酚(或芳香胺)羧酸或磺酸化合物(如水杨酸、对羟基苯甲酸、2,4-二羟基苯甲酸、没食子酸、2-羟基-3-羧基萘、磺基水杨酸、对氨基苯磺酸、4-羟基萘磺酸)和水杨醛等进行偶合反应制得了一类新型阳离子交换树脂。另外,还研究了反应介质的pH值和偶合试剂的结构等因素对偶合反应的影响。合成的离子交换树脂对铜离子和铁离子等有良好的选择性和对某些维生素和抗菌素有好的吸附-解吸性能。

栅型共振隧穿晶体管的设计与研制

在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.

半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。