等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法。研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件。

掺杂型红色有机电致发光显示器件

摘要:全色显示是有机电致发光显示(OLED)器件发展的目标,而高性能红色发光器件一直是制约全彩色OLED器件实用化的瓶颈,也是目前有机电致发光显示研究的热点。制作了掺杂DCJTB和不同浓度的rubrene两种荧光染料的红色有机电致发光显示器件,以NPB和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层,发现器件性能与只掺杂DCJTB的器件相比有明显提高,发光效率提高到2 ～3倍。通过F rster理论和能带理论分析了器件的能量转移机理,研究发现F rster能量转移不是掺杂器件能量转移的主要形式,载流子俘获机制才是器件效率提高的主要原因;rubrene的引入使得能量能够更有效地从Alq3转移到DCJTB,从而显著地提高了器件的发光效率和性能。

高扭曲向列液晶盒工作特性研究

利用VISUAL LCD对高扭曲向列液晶盒的透过率-电压特性、对比度-视角特性、透过率-视角特性及动态响应特性进行了模拟。详细分析了液晶盒参数、液晶材料参数、外加电压对液晶显示器特性曲线的影响,并重点介绍了影响对比度、视角、动态响应特性的因素及如何提高响应速度使其满足视频图像显示的需要;研究发现该常白型显示模式基本无色散,并具有较大的视角、良好的透过率和对比度特性,适用于高品质显示。

表面传导电子发射显示器件电学特性研究

利用平板电容器和电磁场理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合适的电学物理模型,并对其内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的具体表达式;为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为;最终理论计算和软件模拟印证了所建物理模型在误差允许的范围内是完全正确的。

高扭曲向列液晶显示器(HTN-LCD)工作模式的理论研究

利用Jones矩阵建立了高扭曲液晶显示器的理论模型,推导出了高扭曲向列液晶显示器的透过率表达式;对于常用扭曲角为120°的高扭曲向列液晶显示器,研究了其常白模式和常黑模式下的透过率特性,计算了Δn.d的第一、二极小值,结果表明液晶盒厚度d的计算值满足实际工业生产的要求,本研究对于液晶显示器的设计和优化具有一定的参考意义。

COG制程中的紫外光清洗工艺研究

紫外光清洗技术是液晶显示器生产过程中的一项重要工艺,同时也是一种有效保障COG制程中良品率的技术手段。本文解释了紫外光清洗的工作原理,从LCD企业的生产实际出发,通过一系列的实验对VUV和E-UV两种紫外光清洗技术的清洗效果进行了对比,并选择出了最佳的E-UV清洗工艺;然后对E-UV清洗的照射时间、照射功率以及照射距离等参数进行了优化,得到了最佳工艺参数;最终企业的量产实验印证了E-UV清洗最佳优化参数的正确性。

稀土配合物有机电致发光

稀土元素具有独特的电子层结构,是一类丰富的发光材料宝库。将稀土配合物应用于有机电致发光显示器件(OLED)对于实现全彩色显示具有重要意义。与通常的有机电致发光显示器件相比,稀土配合物有机电致发光器件具有高色纯度发射和高内量子效率的优点。本文概述了稀土配合物分类、稀土配合物有机电致发光器件研究进展和优点,着重研究了稀土离子及其OLED器件的发光机理。

有机电致发光器件的阴极研究

介绍了用Al/LiF双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),研究了绝缘层LiF对电子注入所起的作用。实验发现,LiF的引入对电子注入起到了显著的促进作用,当LiF层取最佳厚度1nm时,器件发光亮度和效率得到了明显提高,达到了14700cd·m-2和3.117cd·A-1。此外还研究了不同厚度Al阴极对OLED器件性能的影响,实验表明,随着厚度的增加,外部量子效率和亮度先增加后减少,存在一个约为100nm的最佳厚度。

2.45MHz单边带石英晶体滤波器研制

采用一臂多晶体的差接桥型电路,通过合理的晶体设计及展宽线圈方法,解决了中等带宽单边带滤波器通带调平的问题,研制出了具有12KHz带宽且载频边衰减陡峭的2.45MHz分立式上边带晶体滤波器。该产品在-40℃^+85℃环境温度范围工作时,带内波动≤2dB,载频抑制接近80dB,矩形系数≤1.2,插入损耗≤2dB。

液晶灌注工艺研究

液晶灌注在整个液晶显示器(LCD)的制造过程中有着举足轻重的作用,优化灌注制程对提高生产良率、缩短工艺所耗时间具有极其重要的意义。本文从生产实践出发对液晶灌注工艺进行了详细的研究,探讨了影响液晶灌注的几个重要因素,通过实验对液晶灌注参数进行了优化,并提出了改善措施,在一定程度上提高了液晶的灌注质量。

基于ADN:TBPe发光层的蓝光OLED器件

全色显示是有机电致发光显示(OLED)器件发展的目标,而高性能蓝色发光器件,也是目前有机电致发光显示研究的热点。以NPB和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层,制作了结构为ITO/CuPc(150nm)/NPB(500nm)/ADN(300nm)∶TBPe(30nm)/Alq3(350nm)/RbF(20nm)/Al(1000nm)的蓝光OLED器件,发光亮度达8600cd/m2,发光效率达2.669cd/A,色坐标(X=0.1315,Y=0.1809)。研究发现ADN∶TBPe发光层体系的引入大大改善了蓝光器件的发光效率和性能。

ITO透明导电薄膜的制备工艺研究

采用溶胶-凝胶法以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件。结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4+离子取代In2O3晶格中的In3+离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600Ω/□,可见光透过率达到83%。

星上RS422接口电路的建模与仿真

基于最坏情况分析法结合叠加定理对星上RS422串行总线通信技术接口电路建立了等效电路模型,并结合节点电压法计算出了最坏情况下接收器输入端差分信号的电位,运用Matlab 7.0.1软件绘制出了该信号与偏置电阻之间的关系曲线,确定了偏置电阻阻值的选取范围,结合试验和工程实践给出了偏置电阻的最佳取值,保证了通信的可靠性。

星载LVDS总线通信接口研究

为了提高航天器系统低电压差分信号(Low Voltage Differential Signaling,LVDS)总线通信接口设计的合理性,文章基于叠加定理对该总线接口电路建立了等效电路模型,从理论上探讨了总线偏置电阻的选取范围,并结合节点电压法计算出了接收器输入端差分信号的电位,运用Matlab 7.0.1软件绘制出了该信号与传输线阻抗R之间的关系曲线,确定了传输线阻抗R的选取范围为46Ω≤R≤55Ω,结合理论和工程实践给出了传输线阻抗的优选范围为50Ω≤R≤55Ω,可保证LVDS通信的可靠性。

星载1553B总线通信接口研究

为保证星载1553B总线通信的可靠性,在忽略容性、感性阻抗的情况下,基于叠加定理对变压器耦合方式下总线接口电路建立了等效模型,计算出接口变压器的等效输入阻抗,得出总线终端输入电压信号U。在假定双绞传输线理想状态下,利用软件分别对U与隔离电阻RS、终端匹配电阻RT和传输线阻抗RW之间的关系曲线进行了仿真,确定了相关电阻的选取范围。该模型的建立与仿真,为1553B总线接口设计提供了一种新的模型和验证方法,具有一定的工程应用价值。

星载CAN总线电接口特性研究

为了保证星载控制器局域网(Controller Area Network,CAN)总线通信的可靠性,基于叠加定理对总线接口建立了等效电路模型,结合节点电压法,计算了接收器输入端差分信号的电压,运用仿真软件绘制出了终端匹配电阻RT=124Ω条件下,电压与传输线电阻RW之间的关系曲线,确定了RW的选取范围;当RW=23Ω时,对电压与RT之间的关系曲线进行了仿真,确定了RT的选取范围;通过计算得出了RW=0Ω、RT=124Ω条件下发送器所能驱动的最多接收器节点数。模型的建立与仿真为CAN总线通信电路设计提供了一种新的模拟和验证方法。

温度传感器调理电路的桥路分析与灵敏度研究

在载人航天器的研制过程中,高精度温度测量电路的研究对于航天产品正常工作具有重要意义。温度传感器所反映的温度水平的准确程度对航天系统的温度控制起着至关重要的作用,通常采用高灵敏度、高可靠的热敏电阻作温度传感器对航天器舱内环境温度和航天员体温进行监测。文章从理论出发对温度传感器调理电路的惠斯登电桥和热敏电阻的灵敏度进行分析,探讨了电桥的桥臂电阻和热敏电阻参数对测量灵敏度的影响,得出了满足载人航天要求的高精度温度测量方法。

表面传导电子发射显示器件电场分布的理论研究

利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型,对内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为,并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比,解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内,本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致.