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钼缓冲层对钼/铜叠层结构电极特性的影响 被引量:1
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作者 李旭远 薛唯 +4 位作者 喻志农 薛建设 张学辉 柳逢春 杨伟生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1-5,共5页
采用直流磁控溅射方法制备了钼/铜叠层结构电极,其电阻率达到2.28μΩ·cm,显著低于铝钕合金的电阻率;金属钼作为缓冲层,提高了铜电极在玻璃上的附着力;钼作为阻挡层有效地阻挡了铜向非晶硅中的扩散,避免了铜对于薄膜晶体管有源层... 采用直流磁控溅射方法制备了钼/铜叠层结构电极,其电阻率达到2.28μΩ·cm,显著低于铝钕合金的电阻率;金属钼作为缓冲层,提高了铜电极在玻璃上的附着力;钼作为阻挡层有效地阻挡了铜向非晶硅中的扩散,避免了铜对于薄膜晶体管有源层的影响。采用这种结构的电极作为大尺寸高分辨平板显示器的扫描线和数据线有望缓解信号延迟的问题。 展开更多
关键词 显示技术 钼铜叠层电极 电阻率 扩散 附着力
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