高隔离度阶跃结构MEMS开关的设计

针对MEMS开关提高电容比需要提高驱动电压的问题,提出了一种应用于Ku频段的阶跃结构MEMS开关,该结构结合了固支梁开关和悬臂梁开关,使得开关有两个驱动高度。当固支梁被吸合时,悬臂梁高度会随之降低,在增加开关电容比的同时降低了驱动电压。利用开关悬臂梁引入的电感,将开关闭合态LCd谐振点设计在14.5 GHz,使得开关在Ku频段的隔离度尤为优异。使用ANSYS和HFSS软件进行模拟,结果显示所设计开关驱动电压小于32 V,关态和开态电容比达到280,12～18 GHz的隔离度大于37 dB,插入损耗低于0.23 dB,回波损耗高于-17 dB。

MEMS开关中聚合物牺牲层去除方法研究

制作了一种以聚酰亚胺作为牺牲层的低下拉电压开关,聚酰亚胺牺牲层采用反应离子刻蚀(RIE)工艺进行刻蚀。研究了刻蚀功率对刻蚀时间的影响,检验了不同刻蚀功率与刻蚀时间组合条件下开关梁的结构完整性,优化了该RIE工艺。实验结果表明,聚酰亚胺牺牲层的去除效果较好,其侧向刻蚀率为1.3μm/min。最终获得了具有2μm以下间隙、结构完整的MEMS开关梁。

基于微机电系统开关的四位移相器设计

为了解决相控阵雷达小型化和低损耗的问题,设计了一个工作频率为2.2 GHz的射频微机电系统(MEMS)四位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的插入损耗和隔离度,并得到仿真结果。在此基础上设计了基于该开关的移相范围为0~180o的四位移相器电路,相移量为12o每步。采用HFSS软件对其进行仿真,得到移相精确度、插入损耗和隔离度等关键结果,移相器工作在2.2 GHz时,隔离度大于20 d B,插入损耗小于1 d B。该设计与传统移相器相比体积更小,且具有更小的插入损耗和更大的隔离度。

基于MEMS方块谐振器的10MHz振荡器

方块谐振器的品质因数(Q)很高,但是插入损耗也很大。为了得到低相噪的微机电系统(MEMS)振荡器,需要进一步提高方块谐振器的Q值,降低谐振器的插入损耗。通过支撑梁位置的合理设计可以达到极小的锚点损耗,从而实现非常高的品质因数。采用二阶面切变模态方块谐振器的设计方法,表现出了很多的优越性:Q值更高,动态电阻更小(在间隙为0.25μm时达到82.1?)。基于这种新型谐振器设计出的振荡器实现的相位噪声为:–156 d Bc/Hz@1 k Hz。

用于Lamé模态方块谐振器的压控电流源模型

提出了一种可以用于Lamé模态方块微机械谐振器的压控电流源模型。推导了器件的电气参数以建立电路模型。模型中还加入了一个压控调谐电容来描述谐振器的频率非线性特性。该电容值和模型中的其他参数既可以通过理论计算也可以通过不同方法实验得到。为了证实该模型,采用SOIMUMPs工艺制备了一个频率为9.45 MHz并且包含T型支撑梁结构的绝缘体上硅工艺谐振器,并且在0.015 mTorr(1 Torr=133.322 Pa)真空环境下完成器件的测试。理论计算和实验结果之间参数的最大偏差为18%,该偏差是在60 V偏置电压下得到的,因此该模型的精确性比较高。

主播带货产品责任划分问题研究

自直播平台出现到如今主播带货已成为一个新的销售方式,主播带货的销售模式成为当下热门的销售方式,主播通过直播平台进行带货而产生的问题也多种多样。其中,产品责任明晰成为众多问题中急需明确的一部分,消费者的财产权益甚至是人身权益也因此无法找到明确的责任主体进行维权。