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题名AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究
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作者
李晗溱
宓珉瀚
周雨威
龚灿
马晓华
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机构
西安电子科技大学微电子学院
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出处
《空间电子技术》
2023年第5期58-63,共6页
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基金
国家自然科学基金(编号:61904135,62090014,11690042,62188102)
中国博士后科学基金(编号:2018M640957,BX20200262)
+2 种基金
广州市重点研发计划(编号:202103020002)
芜湖和西安电子科技大学产学研合作专项资金(编号:XWYCXY-012021014-HT)
中央高校基础研究(编号:XJS221110)
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文摘
为实现更高工作频率的氮化镓(gallium nitride,GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件,采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝(aluminium nitride,AIN)势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析,系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm,研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时,跨导达到最大值(592mS/mm),截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率,同时避免器件出现短沟道效应,固定AlN势垒层厚度为4nm,研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大,50nm栅长的器件截止频率最高,但栅长为50nm时器件短沟道效应严重,此时器件纵横比(L_(g)/T_(bar))为12.5。因此需要提升器件的纵横比,当器件栅长达到100nm时(L_(g)/T_(bar)=25),器件短沟道效应得到抑制,且具有较高的截止频率。仿真结果表明,AlN HEMT具有较高的截止频率,同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应,为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。
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关键词
GaN
HEMTs
ALN
高频
短沟道效应
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Keywords
GaN HEMTs
AlN
high frequency
short channel effect
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分类号
TN253
[电子电信—物理电子学]
V443
[航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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