实践育人,践行思政——基于大学物理实验的课程思政教学设计

“课程思政”作为一种教学理念已经从部分高校在“点”上的探索发展为我国高等教育界在“面”上的共识。大学物理实验是我国理工科类高等院校的一门必修公共基础课,蕴含丰富的思政元素,在思政教育方面具有明显的优势。本文通过构建思政格局,建立了TSTC教学体系,系统研究了从团队建设、教材设计到教师思政意识提高,再到思政教育内容的凝练和思政教育方法的探索与实施,实现了自然高效地融学生世界观、人生观和价值观的塑造于课堂专业教学,达到课程思政进学生心、装学生脑、融学生骨的效果,从而实现了课程“立德树人”目的。

右美托咪定复合罗哌卡因行腹横肌平面阻滞辅助全身麻醉对肥胖症患者术后恢复的影响

目的:探讨右美托咪定复合罗哌卡因行腹横肌平面阻滞(TAPB)辅助全身麻醉对肥胖症患者腹腔镜胃减容术后恢复的影响。方法:选取2021年1月至2022年6月在该院行腹腔镜减容术治疗的115例肥胖症患者进行前瞻性研究,按照随机数字表法将其分为研究组(n=58)和对照组(n=57)。两组术中均采用常规静脉全身麻醉,在麻醉诱导完成后实施超声引导下双侧TAPB,对照组采用罗哌卡因行TAPB,研究组采用右美托咪定复合罗哌卡因行TAPB。比较两组麻醉恢复指标(唤醒时间、自主呼吸恢复时间及拔管时间)水平,术中舒芬太尼、丙泊酚用量,围术期[麻醉诱导完成后(T_(1))、术后即刻(T_(2))、拔管即刻(T_(3))、拔管10 min(T_(4))]平均动脉压(MAP)和心率水平,以及不良反应发生率。结果:研究组唤醒时间、自主呼吸恢复时间及拔管时间均短于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);研究组术中舒芬太尼、丙泊酚用量均少于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);T_(1)时,两组MAP、心率水平比较,差异均无统计学意义(P>0.05);T_(2)、T_(3)、T_(4)时,研究组MAP、心率水平均低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);研究组不良反应发生率为8.62%(5/58),低于对照组的22.81%(13/57),差异有统计学意义(P<0.05)。结论:右美托咪定复合罗哌卡因行TAPB辅助全身麻醉用于腹腔镜胃减容术治疗的肥胖症患者可减少静脉麻醉药物用量,缩短术后唤醒时间、自主呼吸恢复时间及拔管时间,降低不良反应发生率,维持术后血流动力学稳定,效果优于单用罗哌卡因行TAPB。

15%SiC_(p)/Al复合材料电阻点焊接头组织形貌及焊接飞溅研究

研究了15%SiC_(p)/Al复合材料直接点焊和添加不锈钢片夹层点焊接头的组织差异。对接头显微组织、拉伸剪切断口和焊接飞溅的产生机理进行分析。结果表明:直接点焊接头熔核区出现了SiC颗粒的偏聚现象。在复合材料和电极间添加0.12 mm不锈钢片夹层焊接时,点焊接头熔核区SiC颗粒分布均匀,焊缝区结合致密、无气孔、夹杂和裂纹缺陷;点焊接头撕裂开后的焊点断口呈纽扣型断裂,接头成型良好。焊接工艺参数选择不当时,焊缝液态金属发生明显外溢,出现焊接飞溅。

碳化硅颗粒增强铝基复合材料电弧焊研究进展

综合分析了碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiCp/Al复合材料)电弧焊焊接性。阐述与评价了国内外SiCp/Al复合材料电弧焊研究现状,分别讨论了钨极氩弧焊、熔化极惰性气体保护焊、等离子弧焊在连接该复合材料时存在的主要问题、解决措施、最新工艺要点。结合作者实验结果对SiCp/Al复合材料钨极氩弧焊进行重点分析,并展望了其电弧焊的发展方向。

SiC_p/Al复合材料与LD2的摩擦焊研究

采用摩擦焊方法对SiCp/Al复合材料与LD2进行连接。焊后借助于光学显微镜对焊接接头进行了微观组织和显微硬度分析。结果表明,在合适的工艺参数下,SiCp/Al复合材料与LD2的摩擦焊焊缝区结合致密,无气孔、夹杂和裂纹等缺陷,其接头强度略高于LD2与LD2的接头强度,因此采用摩擦焊方法焊接颗粒增强型复合材料是可行的。

30%SiC_P/LD2复合材料的TIG焊研究

采用钨极氩弧焊的方法对30%SiCP/LD2高体积分数复合材料进行了焊接实验,研究了在同种TIG焊焊接规范参数下LD2-LD2、LD2-30%SiCP/LD2、30%SiCP/LD2-30%SiCP/LD2三种不同材料组合焊接性差异,分析了焊接热输入对接头强度的影响。实验结果表明:LD2-LD2焊后接头强度高于其他两种;焊接热输入过大和过小都会造成接头强度的损失。利用光学显微镜和扫描电镜观察分析了30%SiCP/LD2复合材料TIG焊接头强度损失的机理,认为接头区形成少量的气孔及SiC颗粒的偏聚是造成接头强度下降的主要原因,接头区未见Al-SiC界面反应现象。着重分析了气孔类型、形成原因及防止措施。在此基础上,通过合理的接头区坡口设计、选择合适的焊丝成分、制定合理的焊接工艺规范,认为采用钨极氩弧焊方法焊接30%SiCP/LD2高体积分数复合材料是可行的。

SiC_p/3003Al复合材料与3003Al的闪光对焊研究

采用连续闪光对焊的焊接方法 ,对 Si Cp/30 0 3Al复合材料与 30 0 3Al合金的焊接性进行研究。试验结果表明 :在合适的工艺参数下 ,Si Cp/30 0 3Al与 30 0 3Al合金闪光对焊焊缝区结合致密、无气孔及裂纹等缺陷 ;接头强度高且随增强相 ( Si C颗粒 )体积分数的增加而增加。因此 ,采用闪光对焊方法焊接颗粒增强型

SiCp/Al复合材料电阻点焊剪切断口形貌

为了优化SiC p/Al复合材料电阻点焊工艺参数,采用不同焊接电流和焊接时间对SiCp/Al复合材料进行了电阻点焊连接,对接头进行了剪切强度试验,用扫描电镜对不同的点焊剪切断口进行微观形貌分析.结果表明:最优的焊接电流和时间匹配值为焊接电流I=14.6 kA,焊接时间t=0.2 s,配合电极压力F=2 500 N点焊,熔核直径适中,接头拉剪力可达1 693 N;撕开后的焊点断口两侧分别呈规则的圆凸台和圆孔状,呈纽扣型断裂,接头成型良好.当焊接电流和时间的匹配值小于最优参数时,点焊接头只有少量的点形成冶金结合,呈结合面断裂,焊接强度较低;当焊接电流和时间的匹配值大于最优参数时,点焊接头易过热,断口上出现气孔、裂纹、电极粘附烧蚀缺陷,接头强度降低.

SiC_p/6061铝基复合材料电阻点焊接头中的缺陷分析

分析了SiCp/6061铝基复合材料电阻点焊接头中的主要缺陷及产生原因。结果表明:复合材料电阻点焊接头中的主要缺陷有氢气孔、热裂纹、焊接喷溅等;氢气孔的产生原因主要是焊前清理不彻底、焊接时间长(0.3s);接头中热裂纹产生的主要原因是焊接电流过大(16kA)造成熔核在不均匀的温度场中结晶,引起焊接应力增加,同时熔池中SiC颗粒使得熔核结晶时黏度增加;焊接飞溅产生的主要原因是由于焊接电流过大(16kA)造成点焊时熔核区局部过热。

SiC_p/3003Al复合材料闪光对焊接头组织及其分析

采用连续闪光对焊的方法对SiCp/3003Al复合材料进行焊接,在合适的工艺条件下获得了良好的焊接质量。焊后接头的微观分析表明,闪光对焊接头可分为界面反应区、颗粒密集区、颗粒过渡区、母材区四个不同的组织区域,借助于扫描电镜及能谱分析,概括出前三区组织特征及成因。

碳化硅颗粒增强铝基复合材料的闪光对焊研究

对连续闪光对焊焊接 SiCp/3003Al基复合材料进行了研究。试验结果表明： 在合适的工艺参数条件下，复合材料闪光对焊焊缝区结合致密，无气孔、裂纹等缺陷，接头强度高且随增强相 (SiCp)体积分数的增加而提高。因此，采用闪光对焊方法焊接颗粒增强型铝基复合材料是可行的。

增强相含量对SiC_p/3003Al复合材料闪光对焊焊接性的影响

用连续闪光对焊方法在同种焊接规范下分别对增强相含量为0%、15%、30%的SiCp/3003Al复合材料进行了连接,利用光学显微镜、SEM、AG-25TA型电子拉伸试验机对焊缝组织及性能进行分析,结果表明:含15%、30%SiCp的复合材料焊缝成型良好,含30%SiCp的复合材料接头强度最高。分析表明:随着SiCp含量的增加,复合材料的电阻率增大、热导率降低、线膨胀系数降低,而这些物理性能的变化使得焊接过程中产热更多,热量更集中于焊缝,闪光过程连续、稳定、激烈,自保护作用更好,焊后接头应力减少,即闪光对焊焊接性变好。

碳化硅颗粒增强铝基复合材料的钎焊

采用高纯氩气保护炉中钎焊的焊接方法研究了 15 %SiCp/ 30 0 3Al复合材料钎焊主要工艺参数对接头剪切强度的影响。结果表明 :采用HL4 0 2 +0 .4 %Mg +0 .1%Bi钎料配合钎剂QJ2 0 1钎剂 ,在钎焊温度 6 15℃ ,保温6min ,在 3kPa的恒压力作用下 ,钎料铺展好 ,钎焊缝致密 ,获得了较高质量的复合材料钎焊接头 ,接头剪切强度最高可达 35MPa。试验还表明 ,钎料成分、钎焊温度和保温时间是影响接头强度的主要因素 ,接头区Al SiC、SiC

电弧离子镀TiN及其复合膜的腐蚀机理探讨

利用电弧离子镀在高速钢基体上制备了TiN及其复合膜(Ti,Cr)N,通过盐水全浸泡试验测量了薄膜的腐蚀速率,利用SEM观察了薄膜腐蚀后的表面形貌及断口形貌,并用其自带的能谱分析仪测量复合膜中Cr的含量,讨论了带有宏观熔滴颗粒的TiN及其复合膜(Ti,Cr)N的腐蚀机理。结果表明:高速钢表面电弧离子镀TiN和(Ti,Cr)N复合膜均可提高其耐腐蚀性能,薄膜的腐蚀主要有小孔腐蚀、缝隙腐蚀及电偶腐蚀。

磁过滤电弧离子镀TiN薄膜的制备及其强化机理研究

采用电弧离子镀(AIP)和磁过滤电弧离子镀(MFAIP)方法分别在不锈钢和硅片上制备了两种不同的TiN薄膜。利用扫描电镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌及组织结构;利用X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM)进行相鉴定;用纳米力学测试系统(NHT)测量了薄膜的硬度。结果表明:MFAIP TiN薄膜具有强烈的(111)面择优取向,薄膜表面光滑、表面熔滴颗粒(MP)少、薄膜的柱状晶组织细小、致密,薄膜具有较高的硬度。并在此基础上讨论了薄膜的强化机理,认为磁过滤器是制备高质量TiN薄膜及其复合薄膜行之有效的一种方法,是今后制备高性能TiN及其复合膜的发展方向。

NdFeB粘结磁体的使用温度及磁性能

对磁粉进行表面处理 ,利用冷、热模压法制备了金属基及塑料基两种粘结NdFeB磁体 ,研究了表面处理前后及不同基体磁体的使用温度和磁性能。研究结果表明 :磁粉的表面处理可以提高磁体的磁性能及使用温度 ,塑料基磁体的磁性能低于金属基磁体的 ,但其使用温度却较高 ,可达 180℃左右。

不同基体粘结NdFeB磁体的磁性能及稳定性研究

通过磁粉表面处理及在NdFeB磁粉中添加不同比例的粘结剂,制备了金属基和塑料基两种粘结磁体,研究了不同基体磁体的稳定性和磁性能,从断口SEM照片及结合理论分析可得出结论:磁粉的表面处理可以改善磁体的稳定性及磁性能,通过磁性能测试及对比和退磁率的测量可以看出塑料基磁体的磁性能低于金属基磁体,但其稳定性却显著提高,塑料基磁体的使用温度可达150～180℃。

压强对直流磁控溅射TiN薄膜光学性能的影响

使用直流磁控溅射设备,不同压强下在玻璃衬底上制备了系列TiN薄膜.采用紫外-可见光分光光度仪测试了样品的光学性能,采用四探针法测量了样品的方块电阻.研究了溅射沉积过程中压强对TiN薄膜光学性能的影响.结果表明,随着反应压强的增大,TiN薄膜在可见光区透射率增强,反射率降低;薄膜厚度减小,方块电阻增大,中远红外光区的反射率降低.

溅射功率对直流磁控溅射TiO_2薄膜光学性能的影响

通过改变溅射功率,使用直流磁控溅射设备,在玻璃衬底上制备了系列Ti O2薄膜。分别用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和椭偏光谱仪测试了Ti O2薄膜的形貌、结构及厚度。使用紫外-可见分光光度计测试了Ti O2薄膜的光学性能。使用Ti O2薄膜降解罗丹明B溶液测试了其光催化活性。研究结果表明:溅射功率增大,薄膜的透射谱及吸收谱在紫外出现明显的"红移"现象,光学带隙从3.51 e V减小到3.40 e V。适当提高溅射功率有利于提高Ti O2薄膜的光催化活性,当溅射功率为213 W时,薄膜的光催化性能最好。

微米及纳米金刚石薄膜的制备及其组织性能研究

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法在铜衬底上沉积了微米和纳米两种金刚石薄膜,过渡层均为钛-铝-钼。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察薄膜的表面及断面形貌,用拉曼(Raman)光谱测量所得金刚石薄膜的质量,利用压痕法测试了所得薄膜的附着性能,研究结果表明:过渡层可有效提高微米金刚石薄膜在铜衬底上的附着力,反应气氛中Ar的存在可促使纳米金刚石薄膜的形成,改善薄膜表面的粗糙度。