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γ-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究
被引量:
2
1
作者
杨卫桥
干福熹
+3 位作者
邓佩珍
徐军
李杼智
蒋成勇
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期565-568,共4页
γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的...
γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异。
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关键词
位错
同步辐射X射线形貌术
GaN衬底
γ-LiAlO2晶体
生长缺陷
研究
下载PDF
职称材料
题名
γ-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究
被引量:
2
1
作者
杨卫桥
干福熹
邓佩珍
徐军
李杼智
蒋成勇
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期565-568,共4页
文摘
γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异。
关键词
位错
同步辐射X射线形貌术
GaN衬底
γ-LiAlO2晶体
生长缺陷
研究
Keywords
LiAlO 2 crystal
defects
dislocation
synchrotron radiation topography
GaN substrate
分类号
O772 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
γ-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究
杨卫桥
干福熹
邓佩珍
徐军
李杼智
蒋成勇
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
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职称材料
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