电子封装用硅铝合金镀金黑点分析

针对某硅铝合金微波组件表面镀金黑点问题,采用扫描电镜、能谱和金相显微镜分析了缺陷区域基材和镀层的微观形貌与元素组成。其原因是前处理后基材中弥散分布的硅颗粒脱落,附着于表面而难于除净,在电镀Au后才脱落,留下了坑洞。通过调整粗化液组分和缩短粗化时间,延长超声清洗时间,问题得到解决。

梯度硅铝合金在高密度微波组件封装中的应用研究

伴随着微电子封装技术高速发展,单一的封装材料已经难以满足当前高密度集成微波组件封装所需的综合性能需求。在简述了微电子封装技术对材料的需求以及金属基材料存在的不足的基础之上,文中引入了一种新型微电子封装材料-梯度硅铝合金,开展了全方位的工艺验证,包括多芯连接器与盒体热失配、LTCC电路片与盒体热失配、盒体形变、法兰盘强度与激光焊接等单点工艺技术应用验证研究,随后进行了产品应用验证研究。在验证的基础上总结出了梯度硅铝作为封装材料的应用边界。研究结果丰富了微电子封装材料体系,推动了微电子封装技术的发展。

激光熔覆制备Al-70Si组织及性能研究

采用LWS-1000型Nd:YAG激光器在1050铝合金表面多层激光熔覆制备Al-70Si,观察和测试分析了Al-70Si的宏微观组织和相关力学性能,并探究了热处理对熔覆层的影响。结果表明:脉冲激光加工技术可以成功制备Al-70Si材料,熔覆层中硅颗粒自基体侧起分别呈现圆润球状、长条状、五星瓣状,熔覆层平均硬度值达到250 HV,抗拉强度为85 MPa,基体耐磨性能明显提高。进行500℃保温4 h热处理后,硅颗粒尺寸降低且尖角钝化,更为圆润,硬度值上升50 HV,热导率也相应提高。

微波器件中绝缘膜的质量提升及工艺技术研究

当前,随着军工产品逐渐向小型化、集成化的方向发展,微波器件的用量越来越大。由于微波器件自身工艺的特殊性,返修性较差,一旦出现质量问题,会导致内部精密器件报废,从而增加产品的制造成本与周期。该文主要针对微波器件中绝缘膜的质量提升进行研究,通过分析现有加工过程并找出问题根源,随后对比多种工艺提升方案并找出最优加工方案的方法,找出了导致短路现象的金属毛刺产生的根源,最终改进了工艺过程,提升了产品质量,并总结了相关经验。

激光熔覆制备铝硅梯度材料

以1050铝合金为基体,利用激光熔覆技术成功制备了从Al-70Si到近乎纯硅的超高硅含量的铝硅梯度材料,观察和分析熔覆层的截面形貌、显微组织、物相组成成分和硬度等。研究结果表明,熔覆层内部组织的分布为最外层初晶硅含量最多,尺寸也最大;从熔覆层表面到基体处,初晶硅的体积分数及尺寸逐渐减少,呈梯度变化。硅颗粒形貌由长条状转变为多边形状,靠近基体处的颗粒趋于圆片状,分析认为硅颗粒形貌的不同是由于温度梯度和凝固快慢不同导致的,与熔池大小和停留时间相关。铝硅梯度材料的硬度分布为最外层硬度较高,由外向内硬度逐渐减少,呈梯度变化。

关于中老年人对智能手机的意见反馈与老人助手APP的推广

本课题以中老年人为研究对象,在全国多地区中发放调查问卷,并进行采访,通过问卷调查和采访了解当代中老年人对智能手机的调查和意见反馈。对中老年人使用智能手机人数、直观感受和期望进行一定的了解和调查,通过对调查数据进行分析,了解到随着智能手机的不断普及,中老年使用智能手机已是这个时代的必然结果,而中老年人们普遍认为智能机使用难度较高,因此老人助手APP也是不可缺少的。

基于姿态估计与特征相似度的行人重识别算法

针对行人重识别场景复杂引起的局部特征不对齐,以及在背景杂乱情况下难以提取出具有不变性行人特征的问题,提出一种基于人体姿态估计算法和相似度矩阵引导的多尺度融合网络.网络引入姿态估计算法构造对齐的行人特征,通过多分支结构将低层局部特征和高层全局特征进行融合提升网络的表征能力;此外特征相似度矩阵将全局特征分割出相似度引导的背景、前景分支,再利用区域级的三元损失函数,提取出对复杂背景鲁棒的行人特征.在Market-1501、DukeMTMC-ReID、CUHK03和MSMT17四个主流数据集上的实验结果表明,本文提出的方法均能达到甚至超过当前主流算法的水平.在最具挑战的MSMT17数据集中,与目前精度领先的算法相比,首次命中精度提高了 1.4个百分点,平均精度均值提高了 3.4个百分点.

激光工艺参数对高硅铝熔覆层组织及性能影响研究

采用LWS-1000型Nd∶YAG激光器在1050铝合金表面激光熔覆制备高硅铝熔覆层。探索不同激光功率和扫描速度对熔覆层质量的影响,分析熔覆层的微观组织,测试熔覆层的硬度和耐磨性能。结果表明:在优化工艺参数下(激光功率170W,激光扫描速度200mm/min)制备出的高硅铝熔覆层与基体结合良好、组织致密、无气孔和裂纹,熔覆层中存在大量初晶硅,未发现明显共晶组织。熔覆层的横截面硬度值达到245HV,进行耐磨性测试后,相比基体耐磨性能明显提高。