氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性

以P型<100>硅作为衬底,采用射频磁控溅射技术,在室温下制备了氮掺杂氧化铟锡锌薄膜晶体管(ITZO TFTs),研究了氮气流量对氧化铟锡锌薄膜晶体管结构、光学、电学特性以及稳定性的影响。实验结果表明:在不同氮气流量条件下制备的氧化铟锡锌薄膜均为非晶态,在可见光范围内的平均透过率均在90%左右,光学带隙数值在3.28~3.32 e V之间变化。在氮气流量为4 m L/min时制备的ITZO TFTs,有源层与栅极电介质界面处的界面态密度(N^(max)_s)仅为4.3×10^(11)cm^(-2),场效应迁移率(μ_(FE))为18.72 cm^2/(V·s),开关比(I_(on/off))为10~6,亚阈值摆幅(S)为0.39 V/dec,电学性能最优。栅极正偏压应力测试结果表明,该器件具有最强的稳定性。因此,适量的氮掺杂可有效地实现器件氧空位的钝化,降低器件的界面态密度,提高ITZO TFTs的电学性能及稳定性。

大气雾霾监测仪

根据朗伯定律和瑞利散射定律,利用本科生实验教学仪器,搭建了微型大气雾霾检测仪.该检测仪利用激光散射和透射原理定量分析大气雾霾浓度,对空气中固体小颗粒物浓度定标与快速分析,多次实验的结果证明:测量结果可靠,重复性好.

GZO/Al复合背电极对非晶硅太阳能电池的影响

随着能源紧缺与环境污染问题的日益严重,太阳能的开发利用越来越受到重视,其中非晶硅薄膜太阳能电池由于其制备工艺简单、价格低廉等优点被广泛地研究。为了使非晶硅薄膜太阳能电池得到更好地利用,提高其转换效率和稳定性显得尤为重要。引入复合背电极是提高非晶硅太阳能电池性能的有效手段,其中对GZO/Al复合背电极的研究还未见报道。在该工作中,利用磁控溅射法在非晶硅电池上制备了GZO/Al复合背电极,研究了复合背电极的制备条件及其对非晶硅太阳能电池性能的影响。结果显示,当GZO层的溅射功率为90 W、Al层的溅射功率为90 W时,具有复合背电极的太阳能电池表现出较好的光电转换性能,其短路电流(I_(SC))、开路电压(V_(OC))、填充因子(FF)和电池的光电转换效率(η)分别为8.92 m A、1.55 V、54.48%和7.53%。相较于单层Al背电极的太阳能电池,其光电转换效率大幅提高了47.6%(相对效率)。

透明光电探测器在AR中的应用进展

AR技术能够将虚拟的世界带到现实生活中来,自出现以来就一直备受关注,近几年来更是迅猛发展。目前AR技术已经可以与智能手机等移动设备兼容,但这些设备显然至少需要占用使用者的一只手,因而给使用者的操作与控制带来不便。因此,可穿戴设备的发展显得尤为重要,在穿戴者与外界环境之间利用透明光电探测器构建一个虚拟与现实交互的世界,是一种非常具有前沿应用价值的技术。文章简要介绍了AR技术目前的发展及应用状况、透明光电探测器在AR中的应用机理、现状及趋势。

n型薄膜晶体管(TFT)的研究进展

文章详细地介绍了以IGZO TFT为主要代表的显示材料以及n型TFT的工作原理、研究进展及在其制备的过程中可能受到的限制和影响、在许多技术和领域方面的实际应用。IGZO TFT的原理和性能特点相比于其他的新型半导体材料和薄膜晶体管具有很大的技术优势,这也就使得它在大尺寸柔性液晶显示及大尺寸超高清液晶显示等电子信息领域的应用上具有巨大的潜在价值。

有源层厚度对InSnZnO薄膜晶体管的影响

在室温下,采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡锌(ITZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层, ITZO薄膜厚度分别为16, 25, 36, 45和55 nm。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计测试分析了不同厚度ITZO薄膜的结晶情况、表面形貌及光学特性的变化规律,并使用半导体特征测试仪表征了ITZO TFT的输出特性及转移特性,研究了有源层厚度对ITZO TFT电学性能的影响。结果表明:不同厚度的ITZO薄膜均为非晶结构,成膜致密,薄膜在可见光范围内的平均透过率均高于85%。在界面态密度(N■)和载流子浓度的共同影响下,当有源层厚度为36 nm时, ITZO TFT电学性能最优。其场效应迁移率(μ_(FE))为14.04 cm^2·(V·s)^(-1),开关比(I_(on/off))为1×10~6,亚阈值摆幅(S)仅有0.5 V·dec^(-1)。此外,有源层厚度的增大可以削弱空气中水分和氧气对TFT的侵蚀,提高器件的稳定性。因此可以通过改变有源层厚度来调控TFT的性能。