25MHz高速抗辐照存储器的验证方法设计

介绍了一种高速抗辐照存储器。经过基准电流电路及电流比较器电路设计,使PROM(可编程只读存储器)能够达到25 MHz的工作频率。所采用的电流比较器读取时连续求值,不会产生SEU(单粒子翻转),实现了PROM高可靠要求。通过三模冗余及系统校验的方法实现抗辐照SET(单粒子瞬态翻转)加固,并在PROM存储器中实现。PROM存储器经过读取时间测试及抗辐照试验,结果表明,高速抗辐照电流比较器的设计符合指标要求。

0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究

为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起;而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积。第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响。