钛铌酸锶膜光敏传感元件的制备与特性分析

利用镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛铌酸锶(Sr NbxTi1-xO3)薄膜,然后制备成平面型薄膜光敏传感器。对钛铌酸锶薄膜的吸收光谱进行测定,得到其禁带宽度为2. 70 e V,对可见光有良好的敏感性。样品在稳定光照下,光电流随照度的增大而增大;温度对光敏特性影响很大,本传感器适用于稳定光照和室温下使用。

原子层沉积法制备氧化锌纳米管

采用原子层沉积法成功制备出了大小均匀、形貌规则、晶体质量较好的ZnO纳米管,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)等对样品表面形貌和物相进行分析,得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,纳米管外径2μm,壁厚150nm。还可选用其它孔径的聚碳酸酯薄膜以及不同的原子层沉积循环数,控制管壁的厚度,以得到不同直径的ZnO纳米管。该方法工艺简单,操作简便,无任何中间产物,可实现工业化生产。

原子层沉积Al2O3薄膜的制备与性能研究

采用原子层沉积法分别在Si片和玻璃片上制备了Al2O3薄膜,并用SEM、XRD、XPS、椭偏测厚仪、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对Al2O3薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、薄膜厚度、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论:Al2O3薄膜的表面粗糙度随沉积温度的增大而减小,随TMA脉冲时间的增大而增大;在可见光区拥有高透射比;满足化学成分配比,即Al:O=2:3;介电常数K在7~10之间;在沉积温度为300℃,TMA脉冲时间为0.1s制备的性能最为优异。