化学汽相淀积多晶硅

半导体器件工艺中多晶硅膜的应用越来越广泛。本德等人首先描述了单晶器件介质隔离用的厚多晶硅膜的热传导。最近在制作场效应晶体管(FET)的自对准栅法中采用了多晶硅做栅。在本文发表之前,范等人关于在多晶硅膜中制作相当好FET的报导,使多晶硅纳入有源器件材料。当然,在要求高速度和高封装密度的应用中,多晶硅绝比不上单晶硅器件。但是要求大面积上制作器件和不能用单晶衬底的应用中多晶硅器件则可以满足需要。

同质外延硅汽相淀积法的改进

硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质隔离的方法。最后给出了有关汽相淀积同质外延硅的参考文献。