BCD工艺中大电流下纵向双极晶体管的电流集边效应研究

在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm、30μm×10μm三种不同尺寸的发射极并进行TCAD仿真研究。在发射极面积相同的情况下,发射极长宽比越小,TCAD可观察到的电流集边效应越严重,最终流片并进行测试验证,得出75μm×4μm的细长结构尺寸能够提升晶体管在大电流下的放大能力,较30μm×10μm的结构提升约11.4%。

NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固

提出了一种漂移区具有Nbuffer结构的N型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)结构,以提高器件抗单粒子烧毁(single-event burnout,SEB)能力。通过TCAD仿真验证了该结构的电学和抗单粒子特征。在不改变器件性能的前提下,18 V NLDMOS SEB触发电压由22 V提高到32 V,达到理论最大值,即器件雪崩击穿电压。具有Nbuffer结构的NLDMOS器件可以抑制单粒子入射使得器件寄生三极管开启时的峰值电场转移,避免器件雪崩击穿而导致SEB。此外,对于18~60 V NLDMOS器件的SEB加固,Nbuffer结构依然适用。

0.18 μm CMOS器件SEL仿真和设计

宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75 Me V·cm2/mg。

抗辐射加固高压NMOS器件的单粒子烧毁效应研究

由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应(SEGR)和单粒子烧毁效应(SEB)。本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应。基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加固,提高器件的抗单粒子烧毁能力,并根据电路中器件的电特性规范,设计和选择关键器件参数。通过仿真和实验结果研究了单粒子烧毁效应。实验结果表明,抗辐射加固器件在单粒子辐照情况下,实现了24 V的高漏极工作电压,线性能量传输(LET)阈值为83.5 MeV·cm^(2)/mg。

Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性

基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管（T1/T2）和1个信号传输PMOS管（T3）组成,采用带带隧穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）擦除方式实现其＂开/关＂态功能。同时,对其＂开/关＂态特性进行表征,研究其耐久性和电荷保持特性,最后,对其抗总剂量（TID）能力进行评估。实验结果表明：该器件的＂T1编程-T2擦除＂与＂T1擦除-T2编程＂态均可以实现信号传输管的＂开/关＂态功能,其阈值窗口的均值约为10.5 V;在工作电压为-1.2 V条件下,T3管的＂开＂态驱动电流均值约为0.92 mA,＂关＂态漏电流低于40 pA,且均表现出了良好的一致性。同时,该器件的循环擦/写次数可达10 000次,在25℃的＂开/关＂态应力条件下寿命大于10年,抗总剂量能力可达150 krad（Si）以上。

参麦注射液治疗蒽环类药物所致心脏毒性的临床研究

目的:探讨参麦注射液治疗蒽环类药物所致心脏毒性的疗效与不良反应。方法:使用蒽环类药物化疗的癌症患者82例,随机分为两组:对照组(n=47);治疗组(n=35)使用参麦注射液50ml+5%葡萄糖注射液250ml,静脉滴注,每天1次,21天为1个疗程。结果:治疗组有效率(CR+PR)48.6%,对照组有效率42.6%,两者间差异无显著性(P>0.05),治疗组心脏毒性低于对照组(P<0.05),治疗组骨髓抑制明显低于对照组(P<0.01)。结论:参麦注射液对蒽环类药物化疗造成的毒副作用有一定的防治作用,减轻化疗所致的血液学毒性和心脏毒性,值得进一步研究。

顺铂、卡铂治疗晚期乳腺癌随机对照研究

目的探讨顺铂（PDD）、卡铂（CBP）治疗晚期乳腺癌临床应用效果及不良反应。方法80例晚期乳腺癌随机分成NC组（40例）接受NC方案（盖诺＋卡铂），NP组（40例）接受NP方案（盖诺＋顺铂）治疗。结果NC、NP组近期疗效（CR＋PR）分别为42．50％、37．50％，两组差异无显著性（P〉0．05）。NC组患者生存质量明显好于NP组（P〈0．05），NP组的Ⅲ度以上恶心、呕吐发生率比NC组高，NC组的Ⅲ～Ⅳ度骨髓抑制比NP组严重（P〈0．05），两组生存率相似。结论NP方案和NC方案治疗晚期乳腺癌效果相近，生存率相似。但NC方案胃肠道反应轻，生存质量好，值得临床进一步推广。

30 V NLDMOS结构优化及SEB能力提高

随着空间技术和核技术的快速发展,越来越多的先进半导体器件应用于军事和航天电子系统。利用TCAD模拟仿真软件,设计一种抗辐射加固30 V N型LDMOS器件结构,开展LDMOS器件的单粒子烧毁效应(SEB)研究。诱发单粒子烧毁效应源于N型MOSFET器件中的寄生NPN三极管在光电流作用下开启并维持工作。从版图设计和工艺设计角度考虑提高器件的抗单粒子烧毁能力的因素,包括LDD浓度、LDD长度、P型埋层结构、工作电压和LET能量等。通过抗辐射设计和工艺加固,获得击穿电压34.6 V、导通电阻只有10.04 mΩ·mm^2的LDMOS器件,同时在工作电压30 V时,器件的抗单粒子烧毁能力达到100 MeV·cm^2/mg。

941名儿童乙型肝炎抗体水平调查分析

目的 了解幼儿园儿童乙型肝炎抗 -HBS水平 ,制定加强免疫措施。 方法 对 941名幼儿园儿童 ,采用酶联免疫吸附法 (ELISA)测定抗 -HBS ,按年龄、城乡分析比较。 结果 抗 -HBS阳性率为 64 .19% ,其中农村幼儿园儿童抗HBS阳性率为 5 6 73 % ,城区儿童抗 -HBS阳性率为 65 11%。 结论 学龄前儿童乙肝疫苗免疫水平低 ,建议出台学龄前儿童具体加强乙型肝炎疫苗免疫时间 ,保护儿童健康。

抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

SOI高压LDMOS单粒子烧毁效应机理及脉冲激光模拟研究

SOI (Silicon-On-Insulator)高压LDMOS (Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semiconductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中。通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究。器件在重离子的影响下产生大量的离化电荷,并在电场作用下发生漂移运动,从而诱发寄生三极管开启,导致器件发生单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)效应而失效。采取脉冲激光对SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点进行辐射试验,试验结果表明脉冲激光能量为2 n J时,SOI高压LDMOS器件未发生SEB效应,验证了脉冲激光模拟试验评估SOI LDMOS器件抗SEB能力的可行性。

Eliminating the floating-body effects in a novel CMOS-compatible thin-SOI LDMOS

A novel CMOS-compatible thin film SOI LDMOS with a novel body contact structure is proposed. It has a Si window and a P-body extended to the substrate through the Si window, thus, the P-body touches the P＋ region to form the body contact. Compared with the conventional floating body SOI LDMOS （FB SOI LDMOS） structure, the new structure increases the off-state BV by 54%, decreases the specific on resistance by 20%, improves the output characteristics significantly, and suppresses the self-heating effect. Furthermore, the advantages of the low leakage current and low output capacitance of SOI devices do not degrade.