低温分子束外延GaAS薄膜的研究

我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．

低温分子束外延生长GaAs材料及相关器件研究进展

本文概括了低温分子束外延GaAs(LT MBE GaAs)材料的发展历史及国内外的最新研究状况。简单介绍了这种材料在器件方面的应用及其性质的理论研究进展。针对此种材料研究中尚需解决的一些问题进行了讨论,并就国内现有基础分析了此项研究的必要性及可行性。

GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进设计

简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。

低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应

本文研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质．我们测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质．对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较．

SZ系列GaAs门电路应用研究

本文叙述了SZ系列GaAs超高速门电路结构、原理及超高频特性.针对阻抗匹配与高频时钟信号传输的关系等问题展开了深入的讨论,并给出了用SZ系列GaAs门电路搭制的环形振荡器及时钟提取电路的瞬态结果.搭制的三级环形振荡器其振荡频率可达400MHz以上,搭制时钟提取电路,提取出的时钟信号可达2Gb/s.

GaAs 208门超高速门阵列设计

本文介绍了GaAs 208门超高速门阵列的逻辑设计、电路设计、版图设计和工艺设计,并给出了此门阵列标准逻辑单元、输入及输出缓冲级的稳态和瞬态CAD模拟结果。此门阵列采用的BFL预功能级标准逻辑单元,具有九种组合逻辑功能及两种不同选择的驱动能力,并具有输出电平调节功能。模拟结果表明,由标准单元组成的四输入或非门单门延迟仅为150ps/门,上升时间为380ps,下降时间为50ps,功耗为1.30mW/门。此门阵列可由BFL电平驱动,也可通过设计的输入缓冲级由ECL电平驱动,输出可由输出缓冲级驱动50Ω负载。此门阵列已制成母片(见《半导体情报》1989年第5期封底),并根据需要布成了双8位串入并出移位寄存器。

超高速门阵列及设计

本文简介了超高速门阵列的概念、应用及国内外发展水平。对其布局及布线方法进行了讨论。并给出了典型的超高速门阵列的单元库。

GaAs超高速数字集成电路测试研究

本文简要介绍了GaAs起高速数字集成电路(VHSIC)测试技术的国际发展水平。对比较法测试系统中阻抗匹配与高频时钟信号的传输特性展开了深入的讨论,并给出了典型的GaAs BFL门瞬态性能的测试结果。使用此系统测出的SZ系列四种GaAs BFL门电路产品通过了专家级定型鉴定,为国内首批定型的VHSIC。

GaAs超高速电压比较器

本文简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国际发展水平,GaAsBFL电压比较器的工作原理,CAD及工艺制造;并给出了研制的BFL比较器的测试结果。其电压分辨率可达30mV,上升与下降时间小于600ps,过驱动延迟小于300ps,为我国目前速率最高的电压比较器。