Si_(30)原子链的结构与密立根电荷布居分布的密度泛函紧束缚计算研究

在原子尺度上研究硅(Si)材料的结构对于微纳米电子器件的微小化发展和应用有远大的意义。本文运用密度泛函紧束缚方法,对具有不同原子间距的Si_(30)原子链的低能稳定结构和电荷分布进行研究。结果表明,对于具有不同初始原子间距的Si_(30)原子链,存在两种可能的低能稳定结构:一字型三聚结构和Z字型曲折结构。两种结构的原子间键长、键角和密立根电荷布居值分布表现出明显差异。